云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MBE生长

MBE生长: 作品数：112被引量：128H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：曾一平孔梅影牛智川郑燕兰李爱珍更多>>; 相关机构：中国科学院长春理工大学中国科学院大学清华大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划博士科研启动基金更多>>

高Al组分AlGaN的MBE生长及表面活性机理: 《半导体技术》2020年第9期701-706,736,共7页贾浩林杨文献陆书龙丁孙安; 国家自然科学基金资助项目(61574130,61804163,61674051);国家重点研发计划资助项目(2016YFC0801203,2018YFB0406600);江苏省自然科学基金资助项目(BK20180252);江西省自然科学基金资助项目(20181BAB211021,20192BBEL50033);中国科学院前沿科学重点研究计划资助项目(ZDBS-LY-JSC034)。; 采用分子束外延(MBE)方法制备了高质量的高Al组分AlGaN薄膜,在室温下获得了266 nm波长的深紫外发光。利用原位监控系统,结合原子力显微镜(AFM)和变温光致发光(PL)谱研究了生长前端的Ga原子的表面活性作用对AlGaN薄膜的生长模式、表面形...; 关键词：AlGaN薄膜光致发光(PL) Ga表面活性剂分子束外延(MBE) 深紫外光学特性

试分析MBE生长碲镉汞材料的研究进展: 《写真地理》2020年第12期0227-0227,共1页张贺良; MBE是分子束外延是一种新的晶体生长技术的简称，高性能大面阵中波及短波红外探测器在领域内也随着技术的发展而得到更多的应用。碲镉汞材料的质量及参数控制是当前研究的焦点所在。笔者将以本文对MBE生长碲镉汞材料的研究现状分析讨论...; 关键词：分子束外延 MBE生长碲镉汞应用现状

高温工作InAlSb的MBE生长及器件性能研究被引量：2: 《激光与红外》2019年第3期329-335,共7页尚林涛温涛王经纬刘铭周朋邢伟荣沈宝玉; 接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In_(1-x)Al_xSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In_(1-x)Al_xSb薄膜...; 关键词：INSB InAlSb 高温工作 MBE 暗电流

退火对MBE生长GaAs_(0.91)Sb_(0.09)晶体质量和发光特性影响研究被引量：1: 《中国科技论文》2017年第22期2616-2620,共5页贾慧民王彪高虹一王登魁唐吉龙冯源李洋李再金马晓辉; 国家自然科学基金资助项目(61404009;61474010;61574022;61504012;61674021;11404219;11404161;11574130;11674038);国家重点研发计划项目(2017YFB0405303);吉林省科技发展计划资助项目(20160519007JH;20160101255JC;20160520117JH;20160204074GX;20160203015GX;20170520117JH); 为了研究慢速热退火处理对分子束外延生长(MBE)的GaAs_(0.91)Sb_(0.09)材料晶体质量和发光特性的影响,分别利用XRD及变温光致发光谱对晶体质量及发光特性进行了表征分析。对40K时GaAs_(0.91)Sb_(0.09)合金光致发光谱进行分峰拟合,获得3...; 关键词：GaAs0.91Sb0.09 分子束外延热退火光致发光局域态

MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活被引量：1: 《红外与毫米波学报》2017年第5期575-580,共6页赵真典陈路傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力; 国家自然科学基金(61306062)~~; 采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV拟合的方法,对不同As掺入浓度与器件结性能相关性进行了分析,发现降低结区内As掺杂浓度可以有效抑制器件...; 关键词：红外焦平面碲镉汞砷掺杂分子束外延

MBE生长的Be掺杂GaAs结构和光学特性研究: 《纳米科技》2016年第1期1-5,共5页贾慧民唐吉龙常量房丹方铉王晓华马晓辉徐莉魏志鹏; 本文报道了分子束外延（MBE）生长的Be掺杂GaAs，通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品。利用原子力显微镜（AFM）和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征。特别的，在低温和随温度变化的光致发光谱中...; 关键词：Be掺杂砷化镓分子束外延光致发光

MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究被引量：1: 《半导体光电》2015年第5期765-768,772,共5页张丹李明高立明赵连城; 系统研究了I类组分量子阱结构材料GaAs/AlGaAs的结构设计、材料表征及光学性能。利用分子束外延(MBE)技术生长量子阱材料,原子力显微镜(AFM)测量结果表明样品表面粗糙度达到10-1 nm数量级。X射线双晶衍射测试结果显示材料具备良好的生...; 关键词：量子阱 GAAS/ALGAAS 材料表征光学性能

MBE生长的Be掺杂GaAs结构和光学特性研究: 《纳米科技》2015年第4期74-78,共5页贾慧民唐吉龙常量房丹方铉王晓华马晓辉徐莉魏志鹏; 本文报道了分子束外延（MBE ）生长的Be 掺杂GaAs ,通过改变Be 掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的Ga As 样品.利用原子力显微镜（AFM ）和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征.特别的,在低温和随温度变化的光致发...; 关键词：Be掺杂坤化镓分子束外延光致发光

不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第3期69-74,共6页王乃明郑新和陈曦甘兴源王海啸李宝吉卢建娅杨辉; 国家自然科学基金(批准号:61274134);苏州市国际合作项目(编号:SH201215)资助; 本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复...; 关键词：GaNAs/InGaAs超晶格分子束外延周期厚度太阳电池快速退火

低Al组分In_(1-x)Al_xSb薄膜的MBE生长和优化被引量：4: 《激光与红外》2014年第10期1115-1118,共4页尚林涛刘铭邢伟荣周朋沈宝玉; 采用分子束外延的方法进行了低Al组分In1-xAlxSb薄膜的生长和优化。通过在InSb(100)衬底上外延生长一系列不同条件的In1-xAlxSb薄膜,分析总结了衬底的热脱氧特征以及InAlSb薄膜低Al组分(2%左右)的控制,探讨了退火和InSb缓冲层的优化等...; 关键词：InSb(100) 铝 InAlSb 薄膜生长优化

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