MBE生长的Be掺杂GaAs结构和光学特性研究  

作　　者：贾慧民[1,2] 唐吉龙[1] 常量 房丹[1] 方铉[1] 王晓华[1,2] 马晓辉[1] 徐莉[1] 魏志鹏[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [2]长春理工大学理学院,吉林长春130022

出　　处：《纳米科技》2015年第4期74-78,共5页

摘　　要：本文报道了分子束外延（MBE ） 生长的Be 掺杂GaAs ,通过改变Be 掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的Ga As 样品.利用原子力显微镜（AFM ） 和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征.特别的,在低温和随温度变化的光致发光谱中,随着掺杂浓度的增加与Be 受主相关的辐射相应地加强.

关 键 词：Be掺杂 坤化镓 分子束外延 光致发光 

分 类 号：TS101[轻工技术与工程—纺织工程]