云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAAS/ALGAAS

GAAS/ALGAAS: 作品数：248被引量：253H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陆卫李宁沈学础黄绮周均铭更多>>; 相关机构：中国科学院山东大学北京工业大学长春理工大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金更多>>

Optical Properties of GaAs/AlGaAs Nanowires Grown on Pre-etched Si Substrates: 《发光学报》2024年第10期1639-1646,共8页ZHANG Zhihong MENG Bingheng WANG Shuangpeng KANG Yubin WEI Zhipeng; 国家自然科学基金(12074045,62027820,61904017);吉林省自然科学基金(20230101352JC);中国“111”项目(D17017)。; GaAs-based nanomaterials are essential for near-infrared nano-photoelectronic devices due to their exceptional optoelectronic properties.However,as the dimensions of GaAs materials decrease,the development of GaAs nan...; 关键词：GaAs nanowires GaAs/AlGaAs core-shell structure crystal phase optical property

非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究: 《红外与毫米波学报》2024年第1期7-14,共8页苏家平周孝好唐舟范柳燕夏顺吉陈平平陈泽中; 国家自然科学基金(12027805,61991444,11991060)。; 本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变...; 关键词：非均匀量子阱高分辨电镜二次离子质谱暗电流

基于DBR增强的850 nm GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器被引量：1: 《半导体光电》2024年第1期25-28,共4页王健窦志鹏李光昊黄晓峰于千郝智彪熊兵孙长征韩彦军汪莱李洪涛甘霖罗毅; 国家重点研发计划项目(2022YFB2803000);国家自然科学基金项目(62235005,62127814,62225405,61975093,61927811,61991443,61974080);华为-清华大学信息光电子与光学合作项目(20212001822)。; 高速850 nm GaAs/AlGaAs面入射型单行载流子光电探测器(PD)是短距离光链路中的重要器件,面临着带宽和响应度之间的相互矛盾。报道了一种基于分布布拉格反射器(DBR)增强的GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器(UTC-PD)。DBR由20个周期的高/...; 关键词：GAAS ALGAAS 光电探测器单行载流子分布布拉格反射器 850 nm波长

小像元量子阱FPA抗光学串音的FDTD仿真: 《半导体光电》2023年第3期325-329,共5页邵恩善王玲李向阳; 国家重点研发计划项目(2021YFA0715501)。; 采用光栅耦合结构的焦平面阵列(Focal Plane Array,FPA)在工艺上难以制备,反射耦合结构较为容易。为探究反射耦合结构是否可以在小尺寸范围内替代光栅耦合结构,文章使用FDTD电磁场仿真软件MEEP构建了光栅耦合结构和反射结构GaAs/AlGaAs...; 关键词：量子阱光学串音 FDTD仿真焦平面 GAAS/ALGAAS

增强GaAs/AlGaAs量子点太阳能电池的设计被引量：2: 《山西大同大学学报（自然科学版）》2022年第3期16-18,30,共4页刘红梅孟田华田翠锋刘培栋康永强杨春花; 大同市重点研发项目[2020019];云冈专项[2020YGZX002][2020YGZX003];山西大同大学教学改革创新项目[XJG2020216]。; 随着石油等能源带来的环境污染问题越来越严重,人们对开发清洁、可再生的太阳能的需求也越来越迫切。针对这种现状,设计了一个表面等离激元量子点太阳能电池,它是通过在常规4周期GaAs/AlGaAs量子点太阳能电池的顶端和底端分别引入金属...; 关键词：量子点太阳能电池 GAAS/ALGAAS 吸收率

First-principles study of stability of point defects and their effects on electronic properties of GaAs/AlGaAs superlattice: 《Chinese Physics B》2022年第3期434-443,共10页Shan Feng Ming Jiang Qi-Hang Qiu Xiang Hua Peng Hai-Yan Xiao Zi-Jiang Liu Xiao-Tao Zu Liang Qiao; Project supported by the NSAF Joint Foundation of China (Grant No. U1930120);the Key Natural Science Foundation of Gansu Province, China (Grant No. 20JR5RA211);the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 11774044)。; When the GaAs/AlGaAs superlattice-based devices are used under irradiation environments, point defects may be created and ultimately deteriorate their electronic and transport properties. Thus, understanding the prope...; 关键词：first-principles calculations GaAs/Al_(0.5)Ga_(0.5)As superlattice point defects electronic properties

基于GaAs/AlGaAs超晶格受激混沌振荡的随机数发生器设计与实现被引量：3: 《电子测量技术》2021年第9期1-5,共5页应杰攀宋贺伦罗晓朋; 中国科学院科技服务网络计划(KFJ-STS-QYZX-061);纳米真空互联试验站(2018-000052-73-01-000356);“十三五”国家密码发展基金(MMJJ20180112)项目资助。; 针对伪随机数在密码应用中存在的安全性问题,基于超晶格物理熵源的特性,分析受激混沌作为熵源的优势,首次提出了将超晶格受激混沌振荡作为真随机数发生器熵源,利用12位ADC实现超晶格受激混沌信号的数字化采样,FPGA作为后处理单元,设计...; 关键词：超晶格随机数发生器物理熵源后处理 FPGA

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的低电阻欧姆接触工艺研究: 《红外》2020年第5期13-18,共6页谭振李春领孙海燕张敏王成刚; 介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况。结合热处理工艺,通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验,确定了适合n+GaAs/AlGaAs的电极体系,并对沉积金...; 关键词：GAAS/ALGAAS 量子阱红外探测器热处理欧姆接触

垂直腔面发射激光器中GaAs/AlGaAs的选择性刻蚀技术研究被引量：2: 《中国激光》2020年第4期21-26,共6页张秋波冯源李辉晏长岭郝永芹; 国家自然科学基金(11474038);吉林省科技发展计划项目(20200519018JH)。; 在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电极钝化的效果。针对因选择性内蚀而出现的"镂空"现象,对湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺进行详细研究,研究结...; 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器 GAAS/ALGAAS 湿法刻蚀感应耦合等离子体刻蚀选择性内蚀镂空

用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究被引量：5: 《中国激光》2020年第4期47-52,共6页王宇周燕萍李茂林左超杨秉君; 采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs...; 关键词：激光光学垂直腔面激光发射器电感耦合等离子体刻蚀圆台结构 GaAs/AlGaAs材料

GAAS/ALGAAS