云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 感应耦合等离子体刻蚀

感应耦合等离子体刻蚀: 作品数：28被引量：121H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郑婉华安俊明李建光王红杰王玥更多>>; 相关机构：中国科学院厦门大学吉林大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《科技风》《激光与红外》《电力电子技术》《安徽工程大学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省科技发展计划基金国家高技术研究发展计划更多>>

C_(4)F_(6)/SF_(6)混合气体对硅基材料的ICP刻蚀工艺研究被引量：1: 《真空科学与技术学报》2023年第1期36-41,共6页陈长鸿王妹芳孙一军孙颖孙家宝刘艳华刘志谢石建; 为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应,同时减少其工艺气体所带来的温室效应,本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺,采用刻蚀与钝化同步进行的伪Bosch工艺刻蚀硅槽孔。研究了ICP功率、RIE功率、腔体压强和C_(4)F_(6)/SF_(6)...; 关键词：感应耦合等离子体刻蚀刻蚀速率深硅刻蚀选择比

垂直腔面发射激光器中GaAs/AlGaAs的选择性刻蚀技术研究被引量：2: 《中国激光》2020年第4期21-26,共6页张秋波冯源李辉晏长岭郝永芹; 国家自然科学基金(11474038);吉林省科技发展计划项目(20200519018JH)。; 在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电极钝化的效果。针对因选择性内蚀而出现的"镂空"现象,对湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺进行详细研究,研究结...; 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器 GAAS/ALGAAS 湿法刻蚀感应耦合等离子体刻蚀选择性内蚀镂空

薄膜体声波滤波器AlN压电薄膜的ICP刻蚀研究被引量：7: 《真空科学与技术学报》2020年第3期220-225,共6页侯卓立周燕萍査强李茂林左超杨秉君吴胜利; 随着5G通信技术的发展,通信频段不断提高,以氮化铝(AlN)为压电薄膜材料的薄膜体声波滤波器作为目前唯一可集成的射频前段滤波器成为研究热点之一。本文开展AlN材料刻蚀工艺的实验研究,实验中采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀工...; 关键词：薄膜体声波滤波器感应耦合等离子体刻蚀氮化铝刻蚀速率

全息光刻-反应离子束刻蚀制作硅光栅被引量：1: 《安徽工程大学学报》2019年第6期28-32,45,共6页郑衍畅王铭胡华奎王雅楠杨春来王海; 国家自然科学基金资助项目(11705001);安徽省自然科学基金资助项目(1808085QA12,1708085ME105); 全息光刻-反应离子束刻蚀是一种非常重要的制作光栅的方法,而如何解决全息曝光中的驻波问题,提高光栅的制作质量,实现该方法向硅材料等高反射率基底的推广应用是一项急需解决的问题。研究开发了一套完整可行的全息光刻-反应离子束刻蚀...; 关键词：硅光栅全息光刻反应离子束刻蚀驻波感应耦合等离子体刻蚀

Ar/SF_6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO_2速率的研究: 《科技风》2018年第34期234-234,共1页满旭鲍妮张家斌郝永芹李洋贾慧民马晓辉; 利用感应耦合等离子体(ICP)技术在Ar/SF_6环境下对SiO_2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蚀气体比例,获得了较高的刻蚀速率(104nm/min),并对SiO_2刻蚀速率随各参数的变化情况进行了讨论。; 关键词：感应耦合等离子体(ICP) Ar/SF6 刻蚀速率

干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取被引量：2: 《激光与红外》2018年第12期1503-1508,共6页李海燕谭振陈慧卿亢喆; 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实...; 关键词：锑化铟感应耦合等离子体刻蚀氩气表面形貌化学计量比 I-V测试

碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究被引量：2: 《激光与红外》2018年第5期601-604,共4页宁提陈慧卿谭振张敏刘沛; 对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法...; 关键词：碲镉汞感应耦合等离子体刻蚀低损伤

大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化被引量：4: 《强激光与粒子束》2017年第7期73-77,共5页李欣刘建朋陈烁张思超邓彪肖体乔孙艳陈宜方; 国家自然科学基金项目(61574043);上海STCSM项目(15JC1401000);中国科学院开放项目(2015KF003); 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实...; 关键词：HSQ 深反应离子刻蚀硅纳米柱高宽比硬X射线

Cl_2/Ar/O_2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究被引量：3: 《真空科学与技术学报》2017年第3期286-289,共4页范惠泽刘凯黄永清蔡世伟任晓敏段晓峰王琦刘昊吴瑶费嘉瑞; 信息光子学与光通信国家重点实验室(北京邮电大学)基金项目(IPOC2016ZT10);国家重点基础研究发展计划项目(2010CB327600);国家自然科学基金项目(61020106007);国家自然科学基金项目(61274044);北京自然科学基金项目(4132069);重点国际科技合作项目计划(2011RR000100);111工程计划(B07005);教育部长江学者和创新团队发展计划资助项目(IRT0609); 自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl_2/A...; 关键词：GAAS 感应耦合等离子体刻蚀 CL2 O2 刻蚀速率表面的粗糙度

ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用被引量：4: 《激光与光电子学进展》2017年第3期194-199,共6页饶岚忻向军李灯熬王任凡胡海; 国家高技术研究发展计划(2015AA016901); 研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法...; 关键词：激光器分布反馈式激光器阵列感应耦合等离子体刻蚀 InP/InGaAlAs 片上集成

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