刘沛

作品数：11被引量：30H指数：3
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供职机构：中国航天更多>>
发文主题：GA2O3金属氧化物半导体场效应晶体管衬底GANALGAN/GAN更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《激光与红外》《集成电路与嵌入式系统》《物理学报》《微电子学》更多>>
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基于内嵌式微通道芯片散热结构设计研究综述被引量：1
《集成电路与嵌入式系统》2024年第7期12-18,共7页熊园园 刘沛 付予 焦斌斌 芮二明 
电子芯片/系统的尺寸微型化、功能复合化导致了其功率密度的增大,伴随着发热也越来越严重,如何应对电子芯片/系统逐渐增加的热流密度,成为散热设计中面临的巨大挑战,也是当前研究的热点。本文详细论述了传统散热技术的优缺点,对国内外...
关键词：芯片散热 内嵌式微通道 热流密度 散热结构 分层复杂歧管 
基于质量保证前移的TSV硅转接板检验评价方法
《集成电路与嵌入式系统》2024年第7期19-24,共6页刘莹莹 刘沛 付琬月 付予 张立康 
TSV作为目前公认最先进的新型高密度封装工艺之一,其结构工艺极为复杂,当前国内鲜有大规模应用及工程适用的质量与可靠性评价方法,相关统一标准尚未完全建立。本文以目前相对成熟并已形成行业共识的2.5D封装中TSV硅转接板为对象,结合其...
关键词：TSV 硅转接板 质量检验 可靠性评价 2.5D封装 
军用射频集成电路技术发展趋势
《微电子学》2018年第5期663-666,共4页刘沛 王健安 赖凡 
目前,美国仍然占据世界国防军事微电子科学技术的主导地位,是军用微电子发展战略思想的引领者。长期以来,美国国防高级研究计划局(DARPA)策划并成功组织实施了许多先进军用集成电路发展项目。射频集成电路(RFIC)是实现通信、雷达、电子...
关键词：射频集成电路 DARPA 智能化 
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
《半导体技术》2018年第10期740-744,786,共6页田秀伟 马春雷 刘沛 韩婷婷 宋旭波 吕元杰 
国家自然科学基金资助项目(61674130,61306113)
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为...
关键词：氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 漏源饱和电流密度 离子注入 击穿电压 
退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响
《半导体技术》2018年第7期529-533,共5页郭艳敏 房玉龙 尹甲运 刘沛 张志荣 王波 高楠 冯志红 
国家安全重大基础研究资助项目(1603613284-3)
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）制备了Mg掺杂的p-GaN外延材料,并在不同气氛下对其进行退火,系统研究了不同退火气氛对p-GaN材料性质及欧姆接触性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）谱和原子力显微镜（AFM）对样品进行...
关键词：P-GAN 快速退火 欧姆接触 退火气氛 比接触电阻率 
碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究被引量：2
《激光与红外》2018年第5期601-604,共4页宁提 陈慧卿 谭振 张敏 刘沛 
对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法...
关键词：碲镉汞 感应耦合等离子体刻蚀 低损伤 
基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料被引量：10
《物理学报》2018年第7期211-218,共8页张志荣 房玉龙 尹甲运 郭艳敏 王波 王元刚 李佳 芦伟立 高楠 刘沛 冯志红 
国家重点研究发展计划(批准号：2017YFB0404100)资助的课题.
研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH_3/H_2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利...
关键词：金属有机物化学气相沉积 氮化镓 热处理 同质外延 
陶瓷表面状态对底部填充胶流动性影响研究被引量：6
《电子与封装》2018年第3期1-4,共4页李菁萱 刘沛 练滨浩 林鹏荣 黄颖卓 
由于陶瓷外壳表面会做氧化铝涂层,这种处理会对底部填充胶的扩散性能造成影响。研究了底部填充胶在不同表面状态的陶瓷外壳上的扩散状态。这对底部填充工艺的发展具有重要的意义。
关键词：底部填充胶 扩散机理 等离子清洗 陶瓷封装 
基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制被引量：2
《半导体技术》2018年第3期177-180,232,共5页韩婷婷 吕元杰 刘沛 敦少博 顾国栋 冯志红 
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在（010）Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层。基于掺杂浓度为2.0×1018cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材...
关键词：β-Ga2O3 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) HfO2介质层 FE掺杂 漏源饱和电流 击穿电压 
斯特林制冷机技术研究进展综述被引量：8
《低温与超导》2018年第2期19-24,33,共7页饶启超 任博文 刘沛 迟国春 
介绍了国内外长寿命斯特林制冷机技术的研究进展及其应用情况,并对影响斯特林制冷机工程应用的工作寿命和可靠性进行了简要分析。综述了国内外斯特林制冷机技术的发展现状。
关键词：斯特林制冷机 工作寿命 可靠性 
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