马春雷

作品数：4被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：氧化镓衬底压力传感器键合肖特基二极管更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
200~220GHz平衡式高效率二倍频器被引量：1
《半导体技术》2022年第10期804-808,共5页马春雷 宋旭波 梁士雄 顾国栋 周幸叶 冯志红 
基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)芯片,研制了工作频率为200~220 GHz的二倍频器。采用抑制奇次谐波的平衡式电路拓扑结构以提高转换效率;采用击穿电压为-9 V的GaAs SBD并结合多阳极结结构芯片以提高输出功率;采用低阻微带线以减小波导短...
关键词：太赫兹 二倍频器 肖特基势垒二极管(SBD) GAAS 转换效率 
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
《半导体技术》2018年第10期740-744,786,共6页田秀伟 马春雷 刘沛 韩婷婷 宋旭波 吕元杰 
国家自然科学基金资助项目(61674130,61306113)
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为...
关键词：氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 漏源饱和电流密度 离子注入 击穿电压 
利用温度无关点计算AlGaN／GaN肖特基势垒高度
《半导体技术》2013年第12期924-928,共5页马春雷 冯志红 
基于AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)中肖特基势垒高度的有效提取对提升器件的性能和稳定性有着重要指导意义,制备了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,并利用光电流谱测试得到了该样品的势垒高度。此外,测试得到该样品的正向变温电流电压...
关键词：ALGAN GaN 肖特基势垒高度 温度无关 电流电压 薛定谔泊松方程自洽计算 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部