Ar/SF_6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO_2速率的研究  

作　　者：满旭 鲍妮 张家斌 郝永芹 李洋 贾慧民 马晓辉 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130000

出　　处：《科技风》2018年第34期234-234,共1页

摘　　要：利用感应耦合等离子体(ICP)技术在Ar/SF_6环境下对SiO_2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蚀气体比例,获得了较高的刻蚀速率(104nm/min),并对SiO_2刻蚀速率随各参数的变化情况进行了讨论。

关 键 词：感应耦合等离子体(ICP) Ar/SF6 刻蚀速率 

分 类 号：TN814.7[电子电信—信息与通信工程]