射频溅射

作品数：205被引量：392H指数：8
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用于光学放大的掺铒氧化铝脊型波导研究
《应用激光》2023年第2期127-133,共7页邬健 杨振 魏腾秀 张政 王威 刘瑞雪 王荣平 
国家重点研发计划项目(2020YFB1805900)。
使用磁控溅射制备了掺铒氧化铝薄膜,对薄膜进行了退火处理,测量薄膜的折射率和X射线衍射图谱,发现薄膜在600℃的退火温度下呈非晶态,在1.5μm处的折射率为1.67左右。模拟模场分布,获得光与掺铒层之间相互作用最大的波导结构参数,并进一...
关键词：氧化铝薄膜 射频溅射 紫外光刻 脊型波导 干法刻蚀 
溅射方式对氧化铌涂层微观结构与性能的影响被引量：1
《包装学报》2022年第5期28-35,共8页王皓 丁子彧 袁乾鸿 潘旭 汤迎红 丁泽良 
湖南省自然科学基金资助项目(2020JJ6079);湖南省教育厅科学研究基金资助项目(20A159)。
分别采用射频溅射和射频反应溅射方式在AZ31镁合金表面制备了氧化铌涂层,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、多功能材料表面性能试验仪和电化学工作站对比研究了两种涂层的微观形貌、物相组成、附着力和耐腐蚀性...
关键词：AZ31镁合金 射频溅射 反应溅射 氧化铌涂层 
掺铒Ge-Ga-Se波导放大器研究
《光子学报》2022年第9期109-117,共9页魏腾秀 杨振 邬健 孙元欢 王荣平 
国家重点研发计划(No.2020YFB1805900);浙江省宁波市3315创新团队项目。
用磁控溅射法制备了不同浓度的高质量掺铒Ge-Ga-Se薄膜。用X射线衍射仪、拉曼以及荧光光谱测量了薄膜的结构和光学性质,当掺杂铒浓度为约1 at.%时,退火薄膜显示出强的光致发光和0.98 ms的荧光寿命。用COMSOL Multiphysics软件包优化了...
关键词：光学放大器 脊型波导 射频溅射 GeGaSe 光学特性 
氮氩流量比与基底温度对射频溅射TiN薄膜性能的影响被引量：3
《电镀与涂饰》2021年第23期1776-1780,共5页李学瑞 曹振 于公奇 张海平 李文博 李炯利 王旭东 
国家自然科学基金(51802296);北京市科技新星计划(Z191100001119102)。
采用射频磁控溅射技术,以纯钛为靶材,氮气为反应气体,通过改变氮氩流量比与基底温度在304不锈钢及玻璃表面制备了不同的TiN薄膜。利用能谱仪、扫描电镜、台阶仪、四探针仪、划痕仪和纳米压痕仪对制备的所制薄膜的氮钛原子比、表面形貌...
关键词：氮化钛 射频磁控溅射 氮氩流量比 基底温度 微观形貌 沉积速率 力学性能 方块电阻 
衬底温度对射频溅射CeO_(2)薄膜微观结构的影响被引量：1
《中国稀土学报》2021年第4期587-593,共7页张茂彩 王誉 崔红兵 白林军 马强 辛博 
内蒙古自然科学基金项目(2017BS0805);内蒙古高等学校青年科技英才计划项目(NJYT-20-B22);内蒙古自治区科技重大专项(2018年度)资助。
为了通过射频溅射金属Ce靶与CeO_(2)靶能得到相同结构、相同性能的CeO_(2)薄膜,采用射频反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积CeO_(2)薄膜,通过调控基体温度,分析其对薄膜成分、结构、形貌的影响规律,分别采用X射线衍射仪、场发射扫描电子...
关键词：CeO_(2)薄膜 射频反应磁控溅射 缓冲层 表面形貌 
Si光阳极保护层——CN薄膜
《河北师范大学学报（自然科学版）》2019年第5期401-408,共8页杜海红 刘志超 甄聪棉 李盼 
国家自然科学基金(11504247);河北省高等学校自然科学重点项目(ZD2017045)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以沉积时间和沉积温度为变量在n-Si(100)衬底上沉积CN薄膜.XRD与傅里叶转换红外光谱测试表明,沉积物为CN,其中主要含有Si—C键、C—N键、CC键和CN键.紫外测试表明,CN薄膜带隙值约为3eV...
关键词：CN薄膜 PECVD射频溅射 三电极测试 光阳极的保护 
基底负偏压对CO2气相反应溅射制备C∶TiO2薄膜性能的影响研究
《功能材料》2019年第6期6088-6094,共7页岳天峰 刘嘉琪 文峰 马艳平 丁春华 姜宏 
海南省自然科学基金资助项目(518MS024);国家自然科学基金资助项目(51461015);国家重点研发计划资助项目(2016YFC0700804)
采用射频磁控溅射法,选择CO2气相提供反应溅射时的碳和氧源,通过改变基底负偏压制备得到系列C掺杂TiO2(C∶TiO2)薄膜.紫外G可见分光光度计测定薄膜的透射率并用tauc作图法得到薄膜的带隙宽度,发现基底负偏压的增加有助于带隙宽度的窄化...
关键词：射频溅射 C掺杂TiO2薄膜 表面能 带隙宽度 光催化 
植入氮的ZnO薄膜的铁磁性
《金属功能材料》2018年第6期26-26,共1页
Parmod Kumar等人采用射频溅射法在硅基板上制出ZnO薄膜,再植入氮离子。原始ZnO薄膜的饱和磁化强度为2.45×10^3A/m,当离子流为1×10^17离子/cm^2时,植入氮的ZnO饱和磁化强度提高一倍,其光带隙由3.27eV减小为3.04eV。该研究对于在ZnO薄...
关键词：ZNO薄膜 氮离子 铁磁性 植入 饱和磁化强度 射频溅射法 硅基板 离子流 
射频溅射法制备掺Ce^(3+)荧光薄膜上转换发光研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2018年第2期102-106,共5页马斯晗 韩亚萍 张国生 许同同 
黑龙江省自然科学基金资助项目(F201017);黑龙江省博士后科研启动金资助项目(LBH-Q14007)
本文以自制掺Ce^(3+)钇铝石榴石(YAG)荧光粉为原料经烧结得到陶瓷靶材,利用射频溅射法在石英基片上制备薄膜,氩气工作气压为3Pa,随后在氮气气氛下1100℃/3h退火处理得到Ce^(3+):YAG荧光薄膜。研究了在980nm红外激光照射下Ce^(3+)掺杂YA...
关键词：射频溅射 Ce3+:YAG薄膜 上转换发光 双光子吸收 
第十九讲 真空溅射镀膜
《真空》2017年第6期77-78,共2页张以忱 
（2）中频溅射的沉积速率高。对硅靶,中频反应溅射的沉积速率是直流反应溅射速率的10倍。比射频溅射高五倍左右。（3）中频溅射过程可稳定在设定的工作点。它既消除了“打火”现象,又能够克服直流放电状态下常出现的靶中毒和阳极消失现...
关键词：溅射镀膜 真空 中频反应溅射 沉积速率 中频溅射 直流反应 射频溅射 溅射速率 
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