射频反应磁控溅射

作品数：42被引量：117H指数：5
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衬底温度对射频溅射CeO_(2)薄膜微观结构的影响被引量：1
《中国稀土学报》2021年第4期587-593,共7页张茂彩 王誉 崔红兵 白林军 马强 辛博 
内蒙古自然科学基金项目(2017BS0805);内蒙古高等学校青年科技英才计划项目(NJYT-20-B22);内蒙古自治区科技重大专项(2018年度)资助。
为了通过射频溅射金属Ce靶与CeO_(2)靶能得到相同结构、相同性能的CeO_(2)薄膜,采用射频反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积CeO_(2)薄膜,通过调控基体温度,分析其对薄膜成分、结构、形貌的影响规律,分别采用X射线衍射仪、场发射扫描电子...
关键词：CeO_(2)薄膜 射频反应磁控溅射 缓冲层 表面形貌 
磁控溅射制备大面积原子级平滑超低电阻率TiN薄膜电极被引量：2
《功能材料》2021年第7期7012-7017,共6页田忠杰 史淑艳 陈琦磊 芮祥新 黄新宇 孙纳纳 周大雨 
国家自然科学基金资助项目(51972037);合肥安德科铭半导体科技有限公司资助项目(DP0011809)。
利用射频反应磁控溅射法制备了大面积原子级平滑的TiN薄膜电极,针对衬底偏压对TiN电极性能与结构的影响进行了系统探究。采用四探针方阻测试仪、XPS、GIXRD和AFM等测试手段对TiN薄膜电极的电阻率、化学成分、择优取向、表面形貌及薄膜...
关键词：射频反应磁控溅射 TiN电极薄膜 表面粗糙度 电阻率 
N掺杂对Y_(2)O_(3)薄膜界面特性的影响
《商丘职业技术学院学报》2021年第2期83-86,共4页陈元安 
2019年度河南省高等教育教学改革研究与实践项目“提升高职院校学生应用能力的数学教学模式改革的探索与实践”(2019SJGLX739);2017年度河南省软科学项目“基于提高学生综合素养的高职数学教学创新改革研究”(172400410563)。
采用射频反应磁控溅射法制备了N掺杂Y2O3栅介质薄膜,并研究了N掺杂对Y_(2)O_(3)薄膜界面特性的影响.研究结果表明:N原子在YOxNy薄膜中以N-O键和N≡O3键两种结合态存在.在热处理过程中,N-O键是稳定的,而N≡O3键不稳定;N-O键的生成能够阻...
关键词：N掺杂 Y_(2)O_(3)薄膜 射频反应磁控溅射 光学特性 
射频反应磁控溅射制备MoS2薄膜结构及光学性能被引量：1
《真空》2020年第5期11-13,共3页韦贤露 巩晨阳 肖剑荣 
广西自然科学基金资助,项目号:(2017GXNSFAA198121)。
采用射频反应磁控溅射技术,在不同气压下制备了二硫化钼薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外可见光光谱仪等对薄膜的表面形貌、结构和光学性能进行了表征、分析。结果表明:利用射频反应磁控溅射制备的MoS2薄膜,表面平整、颗粒...
关键词：二硫化钼薄膜 射频反应磁控溅射 沉积气压 晶体结构 光学带隙 
溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响研究被引量：6
《硅酸盐通报》2019年第10期3133-3138,3144,共7页彭塞奥 王天齐 金克武 杨扬 李刚 姚婷婷 杨勇 沈洪雪 鲍田 汤永康 金良茂 王东 苏文静 沈鸿烈 甘治平 
安徽省重点研究与开发计划项目(1704a0902014,1704a0902010,1804a09020061,1804a09020043);安徽省科技重大专项(17030901085);江苏省能量转换材料与技术重点实验室资助
为了研究溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响,使用射频反应磁控溅射技术在常温下以玻璃为基底使用不同功率镀制了800 nm左右的ZrO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品结晶情况,表面和断面形貌进行表征,结...
关键词：氧化锆薄膜 射频反应磁控溅射 弹性恢复量 硬度 弹性模量 功率 结构 
Al2O3薄膜制备及性能研究
《中国科技纵横》2018年第19期86-87,90,共3页张超 李令斌 顾娇 
Al2O3薄膜有着极其优良的光学、物理化学等性质,极大地引起了科研人员的研究兴趣.本文简述了Al2O3薄膜性能、应用领域以及制备方法等.我们以纯铝靶材,采用射频磁控反应溅射法制备出了Al2O3薄膜,并通过扫描电镜对薄膜表面形貌进行了观察.
关键词：AL2O3薄膜 射频反应磁控溅射 表面形貌 
射频输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和附着特性的调制机理被引量：2
《材料科学与工程学报》2017年第3期363-367,384,共6页吴伟 朱志鹏 张剑东 闵嘉炜 江美福 钱侬 
国家自然基金资助项目(11275136)
以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF_3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶F∶Si薄膜。研究了射频输入功率对薄膜的附着力、硬度和表面接触角的影响。结果表明,选取适当的输入功率(180W左右...
关键词：DLC∶F∶Si薄膜 射频反应磁控溅射 附着力 共掺杂 
射频反应磁控溅射制备的SnO_2及SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能被引量：2
《硅酸盐学报》2017年第4期472-477,共6页杨玉婷 祝柏林 谢挺 张俊峰 吴隽 甘章华 刘静 
材料成形与模具技术国家重点实验室开放基金课题(P2014-06)
以Sn和Sn+SnF_2为靶材,采用射频(RF)反应磁控溅射法在150℃不同O_2流量下制备了厚度约为300 nm的SnO_2和SnO_2:F薄膜。通过X射线衍射、Hall效应测试系统和紫外–可见分光光度计研究了两种薄膜的结构和透明导电性能。结果表明:随O_2流量...
关键词：射频反应磁控溅射 氧化锡薄膜 氟掺杂 氧气流量 透明导电性能 
Cu互连中Zr嵌入层对ZrN阻挡层热稳定性的影响被引量：1
《稀有金属材料与工程》2014年第8期2007-2010,共4页翟艳男 杨坤 张晖 汤艳坤 张丽丽 
在不同的衬底偏压下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了ZrN/Zr/ZrN堆栈结构的阻挡层。研究了Zr层的插入对ZrN扩散阻挡性能的影响,结果表明:随着衬底偏压的升高,阻挡层的电阻率降低,ZrN呈(111)择优取向;Zr层的插入使...
关键词：ZRN ZR ZrN膜 扩散阻挡层 CU互连 射频反应磁控溅射 
AlN压电薄膜的制备工艺被引量：2
《微纳电子技术》2013年第8期506-511,共6页陈颖慧 王旭光 席仕伟 施志贵 姚明秋 
中国工程物理研究院科技发展基金重点课题资助项目(2010A0302013);中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室课题资助项目(2012CJMZZ00003;2012CJMZZ00006)
采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对Al...
关键词：ALN薄膜 射频反应磁控溅射 c轴择优取向 X射线衍射(XRD) 原子力显微镜(AFM) 
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