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出 处:《金属功能材料》2018年第6期26-26,共1页Metallic Functional Materials
摘 要:Parmod Kumar等人采用射频溅射法在硅基板上制出ZnO薄膜,再植入氮离子。原始ZnO薄膜的饱和磁化强度为2.45×10^3A/m,当离子流为1×10^17离子/cm^2时,植入氮的ZnO饱和磁化强度提高一倍,其光带隙由3.27eV减小为3.04eV。该研究对于在ZnO薄膜植入非磁性N离子赋与铁磁性的现象,提出了新的见解。
关 键 词:ZNO薄膜 氮离子 铁磁性 植入 饱和磁化强度 射频溅射法 硅基板 离子流
分 类 号:TQ132.41[化学工程—无机化工] TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]
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