氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨  

作　　者：马智训[1,2] 廖显伯[1,2] 何杰[1,2] 程文超[1,2] 岳国珍[1,2] 王永谦[1,2] 刁宏伟[1,2] 孔光临[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第2期162-167,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：研究了不同氧含量的ａ－ＳｉＯｘ∶Ｈ薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Ｇａｕｓｉａｎ分谱组成．一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约８３５ｎｍ的伴峰．结合对ＩＲ谱和微区Ｒａｍａｎ谱的分析，我们认为主峰可能与膜中的ａ－Ｓｉ颗粒有关，而伴峰与Ｓｉ过剩或氧欠缺引起的缺陷有关．

关 键 词：光致发光 氧化硅 半导体薄膜技术 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学] TN304.055