Si^+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响  

Three PL Peaks of Si^+ Implanted SiO_2 Film and Influence of RTA

作　　者：刘世祥[1] 刘渝珍[1] 伍勇[2] 石万全[1] 陈志坚[1] 韩一琴[1] 刘金龙[1] 张通和[3] 姚德成[1] 

机构地区：[1]中国科技大学研究生院,北京100039 [2]首都师范大学物理系,北京100037 [3]北京师范大学低能所,北京100875

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第3期242-245,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：将高剂量 ( 1× 1 0 17/cm2 ) Si+ 注入热氧化 Si O2 薄膜 ,在～ 5.0 e V( 2 65nm)激光的激发下 ,观测到 2 .97e V、2 .32 e V和 1 .73e V的三个光致发光 ( PL)峰 ,经快速热退火 ( RTA)处理后 ,其PL谱峰形发生变化 .本文对Si + implanted thermal grown SiO 2 film with high dose (1×10 17 /cm 2) has been prepared. Under the excitation of ～5.0eV (265nm) photons, three PL peaks (2.97eV, 2.32eV and 1.73ev) are observed from as\|implanted sample. Some variations of peak shape in the PL spectra take place undergoing RTA treatment. In this paper, the possible origin and variation for the PL peaks is discussed.

关 键 词：硅 二氧化硅 RTA 半导体薄膜技术 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.055