AlN/GaAs界面的AES和XPS研究  

作　　者：曹昕[1] 罗晋生[1] 陈堂胜[2] 陈克金[2] 

机构地区：[1]西安交通大学微电子所 [2]南京电子器件研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第7期539-542,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键，没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明，ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素在ＡｌＮ淀积过程中从ＧａＡｓ表面转移到ＡｌＮ膜中．这与通过ＰＥＣＶＤ方法淀积ＡｌＮ薄膜形成的ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面完全不同．由于ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素是与Ａｌ结合的，因此有较好的界面特性．

关 键 词：砷化镓 氮化铝 AES XPS 半导体薄膜技术 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] TN304.23