董建荣

作品数：23被引量：15H指数：2
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：电池隧道结太阳能电池衬底光伏电池更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《Journal of Semiconductors》《高技术通讯》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金教育部留学回国人员科研启动基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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表面菱形孔795 nm VCSEL的偏振特性
《半导体技术》2024年第7期609-617,共9页付秋雪 孙玉润 于淑珍 范屹梁 仇伯仓 董建荣 
795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷基芯片级原子钟(Rb-CSAC)的光源,其输出光的偏振不稳定会降低Rb-CSAC的稳定度和精确度。为了满足Rb-CSAC对795 nm VCSEL偏振稳定的需求,设计了一种具有表面菱形孔的偏振稳定的795 nm VCSEL。通过...
关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 表面菱形孔 偏振控制 芯片级原子钟(CSAC) 分布式布拉格反射镜(DBR) 
增厚DBR型894 nm窄线宽VCSEL
《半导体技术》2024年第5期449-454,共6页范屹梁 孙玉润 付秋雪 于淑珍 仇伯仓 董建荣 
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSE...
关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 芯片级原子钟(CSAC) 有效腔长 分布式布拉格反射镜(DBR) 线宽 
1310nm InGaAsP多结激光电池
《半导体技术》2023年第8期658-664,共7页秦杰 孙玉润 于淑珍 王安成 尹佳静 董建荣 
国家自然科学基金资助项目(62275262)。
针对现有1 310 nm激光电池(LPC)的低输出电压难以满足电子器件供电需求的问题,采用多结叠层结构设计,制备了六结InGaAsP 1 310 nm LPC并进行了测试。测试结果表明,在功率密度为57.5 W/cm^(2)的激光照射下,六结LPC的光电转换效率为31.0%...
关键词：激光电池(LPC) 多结叠层 1310 nm 复合电流 陷阱辅助隧穿 
高能电子辐照对三结GaAs激光电池特性的影响被引量：1
《半导体技术》2023年第2期170-176,共7页韩堰辉 孙玉润 王安成 施祥蕾 李彬 孙利杰 董建荣 
研究了能量为1 MeV的电子辐照对三结GaAs激光电池(LPC)性能的影响。不同剂量电子辐照后三结GaAs LPC光照下的I-V特性测试结果表明,三结GaAs LPC短路电流、开路电压和最大输出功率的衰减随电子辐照剂量的提高而增大。通过测量不同波长激...
关键词：三结激光电池(LPC) 电子辐照损伤 缺陷密度 电学性能退化 抗辐照加固 
氧化孔径对VCSEL功耗和效率的影响
《半导体技术》2020年第11期867-873,共7页李荣伟 孙玉润 于淑珍 尹佳静 董建荣 
江苏省青年科学基金资助项目(BK20170431)。
高温导致垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率滚降,功率转换效率降低。为了研究高环境温度中VCSEL的温度稳定性和功率转换效率,通过测试不同环境温度下不同氧化孔径波长850 nm VCSEL的P-I-V曲线,发现在相同注入电流下,随着环境温度的升...
关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 氧化孔径 功率损耗 功率转换效率 微分电阻 
图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长
《半导体技术》2015年第6期448-454,共7页戚永乐 张瑞英 张震 王岩岩 朱健 孙玉润 赵勇明 董建荣 王庶民 
国家自然科学基金资助项目(51202284);信息功能材料国家重点实验室开放课题
使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生...
关键词：图形化衬底 GaAs/InP异质外延 表面形貌 粗糙度 应力 
1.31μm InGaAsP/InGaAlAs TM偏振高速激光器的优化设计
《激光与光电子学进展》2014年第2期102-108,共7页曾徐路 于淑珍 李奎龙 孙玉润 赵勇明 赵春雨 董建荣 
报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)量子阱为有源区的1.31μmTM偏振高速激光器。以1%张应变的In_(0.49)Ga_(0.51)As_(0.79)P_(0.21)作为阱层,0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层,计算了由不同势垒带隙(1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 ...
关键词：激光器 TM偏振 数值模拟 INGAASP INGAALAS 
锥型亚波长光栅在薄膜晶硅电池中的吸收增强效应分析
《激光与光电子学进展》2012年第4期167-172,共6页邵彪 张瑞英 赵春雨 董建荣 杨辉 张金仓 
教育部留学回国人员科研启动基金;江苏省科技支撑-工业项目(BE2009056)资助课题
基于严格耦合波理论,从反射率、吸收增强因子、光生载流子几率和理想光电转换效率几个方面模拟分析了不同锥型亚波长光栅对1μm厚晶硅电池产生的影响。模拟结果得出:在相同光栅高度下,虽然小周期(P=100nm)锥形亚波长光栅的表面反射率低...
关键词：光电子学 吸收增强 严格耦合波理论 太阳电池 宽谱减反 
含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
《科学通报》2011年第2期174-178,共5页唐龙娟 郑新和 张东炎 董建荣 王辉 杨辉 
国家重点基础研究发展计划(2007CB936701);苏州高效太阳能电池技术重点实验室(ZXJ0903)资助项目
提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以...
关键词：纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结 太阳能电池 外量子效率 
MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
《Journal of Semiconductors》1998年第9期646-649,共4页周宏伟 董建荣 王红梅 曾一平 朱占萍 潘量 孔梅影 
在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率．掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高．且对未掺杂的ＩｎＡｓ薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极...
关键词：MBE技术 砷化铟 半导体薄膜技术 
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