INGAALAS

作品数：9被引量：23H指数：3
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集成DBR反馈区的1.3μm高速直接调制InGaAlAs/InP DFB激光器被引量：2
《中国激光》2023年第10期27-33,共7页朱旭愿 剌晓波 郭竟 李振宇 赵玲娟 王圩 梁松 
国家重点研发计划(2018YFB2200801)。
研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大...
关键词：激光器 半导体激光器 高速直接调制 InGaAlAs/InP量子阱 1.3μm波段 
覆盖S+C波段的宽光谱带宽InGaAlAs/InP量子阱结构
《半导体光电》2022年第5期914-917,共4页周帅 冯琛 廖苗苗 罗晶 彭芳草 贺勇 段利华 张靖 
通过理论仿真和实际制备测试,分析比较了基于非对称量子阱结构(10 nm厚和6 nm厚的量子阱组合)的光放大芯片与对称量子阱结构(10 nm厚量子阱)的光放大芯片的性能。两种结构的理论模式增益同最终实测值符合较好。最终光谱测试结果显示,对...
关键词：宽光谱 S+C波段 InGaAlAs/InP 对称和非对称多量子阱 
Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy
《Chinese Physics B》2019年第2期428-433,共6页Jing Zhang Hongliang Lv Haiqiao Ni Shizheng Yang Xiaoran Cui Zhichuan Niu Yimen Zhang Yuming Zhang 
Project supported by the National Defense Advanced Research Project,China(Grant No.315 xxxxx301);National Defense Innovation Program,China(Grant No.48xx4);the National Key Technologies Research and Development Program of China(Grant No.2018YFA03xxx01);the Scientific Instrument Developing Project of the Chinese Academy of Sciences(Grant No.YJKYYQ2017xxx2);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.6150xxx6)
The growth of the InAs film directly on the Si substrate deflected from the plane(100) at 4° towards(110) has been performed using a two-step procedure. The effect of the growth and annealing temperature on the elect...
关键词：INAS Si high electron MOBILITY growth temperature INGAALAS METAMORPHIC BUFFER 
利用三量子阱结构拓宽1550nm InGaAlAs超辐射发光管光谱被引量：2
《固体电子学研究与进展》2018年第2期121-126,共6页孙春明 张晶 祝子翔 陈锋 
吉林省重大项目招标(20170203014GX)
为了拓宽1 550nm InGaAlAs超辐射发光二极管(SLD)的输出光谱,采用三量子阱结构(分别对应1 530、1 550、1 570nm中心激射波长)作为有源区制作了1 550nm SLD,并在器件非出射端部分制作成非注入吸收区,通过吸收区抑制激射。实验结果表明研...
关键词：超辐射发光二极管 三量子阱 复合效率 中心波长 
ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用被引量：4
《激光与光电子学进展》2017年第3期194-199,共6页饶岚 忻向军 李灯熬 王任凡 胡海 
国家高技术研究发展计划(2015AA016901)
研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法...
关键词：激光器 分布反馈式激光器阵列 感应耦合等离子体刻蚀 InP/InGaAlAs 片上集成 
1.31μm InGaAsP/InGaAlAs TM偏振高速激光器的优化设计
《激光与光电子学进展》2014年第2期102-108,共7页曾徐路 于淑珍 李奎龙 孙玉润 赵勇明 赵春雨 董建荣 
报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)量子阱为有源区的1.31μmTM偏振高速激光器。以1%张应变的In_(0.49)Ga_(0.51)As_(0.79)P_(0.21)作为阱层,0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层,计算了由不同势垒带隙(1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 ...
关键词：激光器 TM偏振 数值模拟 INGAASP INGAALAS 
InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器及其温度特性研究被引量：1
《高技术通讯》2000年第2期50-52,共3页孙可 王健华 彭吉虎 
国家自然科学基金!资助项目 ( 6 94870 0 4)
实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为156μm,阈值电流密度小于185kA/cm2,脊波导结构的激光器最低阈值电流为35mA。
关键词：应变补偿 激光器 量子阱 温度特性 
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