王健华

作品数:11被引量:9H指数:2
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供职机构:清华大学电子工程系更多>>
发文主题:多量子阱半导体激光器MBEGAALAS/GAASINGAAS/INALAS更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《高技术通讯》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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SLA端面增透膜设计的理论分析与计算被引量:2
《半导体光电》2000年第2期143-146,149,共5页鲁乙喜 王健华 周丹 
国家自然科学基金资助项目
文章推导了多层平板波导结构的半导体激光放大器 (SLA)端面反射率的计算方法 ,为优化设计SLA端面增透膜参数提供了工具。对InGaAs/InGaAlAs多量子阱SLA端面增透膜参数进行了优化设计 ,并给出优化结果。
关键词:半导体激光器放大器 增透膜 端面镀膜 光纤通信 
InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器及其温度特性研究被引量:1
《高技术通讯》2000年第2期50-52,共3页孙可 王健华 彭吉虎 
国家自然科学基金!资助项目 ( 6 94870 0 4)
实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为156μm,阈值电流密度小于185kA/cm2,脊波导结构的激光器最低阈值电流为35mA。
关键词:应变补偿 激光器 量子阱 温度特性 
InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器
《高技术通讯》1997年第6期24-26,共3页金峰 孙可 俞谦 王健华 李德杰 蔡丽红 黄绮 周钧铭 
863计划资助
在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As/In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器,并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比,光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原...
关键词:光调制器 电吸收 多量子阱 INGAAS/INALAS 
p-GaAs/n-GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析
《Journal of Semiconductors》1996年第3期191-195,共5页陈朝 王健华 
用液结光伏谱方法首次在PN4350光伏谱仪上对用国产MOCVD设备生长的九个p-GaAs/n-GaAs外延样品p型外延层的少于扩散长度Ln和掺杂浓度NA的关系作了测量和分析.结果表明,Ln-NA关系对反应管的清洁度非...
关键词:砷化镓 MOCVD 外延层 少子扩散长度 
开管扩锌InP的液结光伏谱和少子扩散长度
《固体电子学研究与进展》1996年第1期38-43,共6页陈朝 王健华 
国家教委留学回国人员研究经费项目;国家自然科学基金
用电化学液结方法测量了在470℃于氢气氛下开管扩锌InP样品的载流子浓度分布、不同深度的光伏谱和少于扩散长度。结果表明:在扩散区形成浓度为1017~1018cm-3较平坦的空穴分布;少于扩散长度由衬底的8~10μm降...
关键词:开管锌扩散 磷化铟 液结光伏谱 少子扩散长度 
InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究被引量:1
《物理学报》1996年第2期274-282,共9页俞谦 王健华 李德杰 王玉田 庄岩 姜炜 黄绮 周钧铭 
国家自然科学基金资助的课题
通过吸收光电流谱的测量.观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的In-GaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性.报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并...
关键词:INGAAS 多量子阱 量子尺寸效应 
分布反馈式半导体激光器研究的历史回顾与最新进展
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》1995年第3期294-300,共7页罗毅 司伟民 张盛忠 陈镝 王健华 
1 历史与现状 随着激光唱盘、视盘进入人们的生活,激光打印机等进入办公领域,半导体激光器(以下简称为LD)已越来越被人们所熟悉。LD较其它类型的激光器具有显著优点,例如体积小、效率高、寿命长,使其在更为广泛的领域有着诱人的应用前景。
关键词:激光器 半导体激光器 分布反馈 增益耦合 
基于MBE的GaAlAs/GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺
《Journal of Semiconductors》1994年第10期694-699,共6页罗毅 张盛忠 司伟民 陈镝 王健华 
国家自然科学基金;优秀中青年人才专项基金
利用分子束外延(MBE)对GaAIAs和GaAs的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长,既能获得清洁的外延界面,又能精确控制光栅的形状.采用这种方法,我们在国际上首次成功地制作了完全MBE生长的内含吸收光栅的GaA...
关键词:半导体激光器 分子束外延 砷化镓 砷化铝镓 
完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs/GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器被引量:4
《Journal of Semiconductors》1994年第2期139-144,共6页罗毅 司伟民 张盛忠 陈镝 王健华 蒲锐 
我们首次完全采用MBE技术成功地制作了内含吸收型光栅的GaAIAs/GaAs量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器.激光器在室温下的激射波长为860um,单模单端输出光脉冲峰值功率超过20mW.器件在至少0℃到80℃...
关键词:半导体激光器 量子阱 GAALAS/GAAS 
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器被引量:1
《通信学报》1992年第4期55-64,共10页司伟民 李德杰 王健华 彭吉虎 张克潜 
利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中...
关键词:半导体 量子阱 光调制器 
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