张盛忠

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：清华大学电子工程系更多>>
发文主题：半导体激光器MBEGAALAS/GAAS光栅多量子阱更多>>
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分布反馈式半导体激光器研究的历史回顾与最新进展
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1995年第3期294-300,共7页罗毅 司伟民 张盛忠 陈镝 王健华 
1 历史与现状 随着激光唱盘、视盘进入人们的生活,激光打印机等进入办公领域,半导体激光器(以下简称为LD)已越来越被人们所熟悉。LD较其它类型的激光器具有显著优点,例如体积小、效率高、寿命长,使其在更为广泛的领域有着诱人的应用前景。
关键词：激光器 半导体激光器 分布反馈 增益耦合 
基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺
《Journal of Semiconductors》1994年第10期694-699,共6页罗毅 张盛忠 司伟民 陈镝 王健华 
国家自然科学基金;优秀中青年人才专项基金
利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡ...
关键词：半导体激光器 分子束外延 砷化镓 砷化铝镓 
完全　MBE　生长的内含吸收型光栅　GaAlAs／GaAs　多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器被引量：4
《Journal of Semiconductors》1994年第2期139-144,共6页罗毅 司伟民 张盛忠 陈镝 王健华 蒲锐 
我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃...
关键词：半导体激光器 量子阱 GAALAS/GAAS 
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