云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAALAS/GAAS

GAALAS/GAAS: 作品数：41被引量：40H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：曲轶罗毅宋晓伟李锡华张皓月更多>>; 相关机构：吉林大学中国科学院清华大学中国科学院上海冶金研究所更多>>; 相关期刊：《光学学报》《红外与毫米波学报》《Chinese Physics Letters》《稀有金属》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金江苏省高技术研究计划项目更多>>

Theoretical Revision and Experimental Comparison of Quantum Yield for Transmission-Mode GaAlAs/GaAs Photocathodes: 《Chinese Physics Letters》2011年第4期105-107,共3页SHI Feng ZHANG Yi-Jun CHENG Hong-Chang ZHAO Jing XIONG Ya-Juan CHANG Ben-Kang; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 10794125,60808006,60821004,61078051 and 60978017.; The quantum yield formula for uniform-doping GaAIAs/GaAs transmission-mode photocathodes is revised by taking into account the light absorption in the window layer.By using the revised quantum yield formula,the domest...; 关键词：QUANTUM fitted revised

GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征被引量：5: 《发光学报》2007年第6期885-889,共5页李梅李辉王玉霞刘国军曲轶; 国家重点实验室基金资助项目(06zs3601); 超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量...; 关键词：超辐射发光二极管非均匀阱宽多量子阱光致发光

GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究被引量：3: 《光电子技术与信息》2005年第4期23-25,共3页刘文莉李林钟景昌王晓华刘国军; 高功率半导体激光国家重点实验室基金(ZS3603); 分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)...; 关键词：量子阱光荧光(PL)谱 Ⅴ/Ⅲ束流比

Study of GaAlAs/GaAs Planar Lightwave Filters: 《工程科学（英文版）》2005年第1期32-37,共6页CaiChun LiuXu XiaoJinbiao MaChangfeng DingDong ZhangMingde SunXiaohan XuXiaole ChenTangsheng LiFuxiao; Based on the theory of four-port resonator filters, the characteristics of four kinds of filters with single race-track, dual race-track, rectangular and MMI resonators respectively were numerically simulated by utili...; 关键词：WDM 平坦光波光纤通信 FDTD 振荡电路

环形谐振腔GaAlAs/GaAs四端口滤波器的仿真与实验研究被引量：3: 《红外与毫米波学报》2005年第1期65-70,共6页蔡纯刘旭肖金标丁东张明德孙小菡徐筱乐陈堂胜李拂晓; "十五"863子项目的资助课题(2002AA31230).; 基于四端口谐振腔滤波理论,采用时域有限差分法(2D FDTD)对环行谐振腔的滤波特性进行数值仿真,仿真结果给出多模干涉(MMI)耦合长度与滤波特性的关系.所制作的两种GaAlAs/GaAs平面波导环形谐振腔窄带滤波器的测试结果与仿真结果符合较好.; 关键词：环形谐振腔滤波特性多模干涉滤波器平面波导 FDTD 时域有限差分法端口仿真结果测试结果

GaAlAs/GaAs平面波导串联矩形谐振腔滤波器的研究被引量：3: 《中国工程科学》2004年第2期61-66,共6页蔡纯刘旭肖金标马长峰陈麟丁东张明德孙小菡徐筱乐陈堂胜李拂晓; "八六三"国家高技术资助项目 ( 2 0 0 2AA3 12 3 0 ) ;江苏省高技术资助项目 ( 770 60 0 80 2 0 ); 基于四端口谐振腔滤波理论 ,采用二维时域有限差分法 (2D -FDTD)数值仿真了矩形谐振腔的滤波特性 ,分析了串联谐振腔的个数与滤波特性的关系 ;设计和制作了GaAlAs/GaAs平面波导四串联矩形谐振腔滤波器 ,获得其滤波特性 ,测试结果通带半...; 关键词：波分复用平面波导器件光滤波器谐振腔时域有限差分法

GaAlAs/GaAs量子阱行波Mach-Zehnder光调制器电极传输线的微波响应: 《Journal of Semiconductors》2003年第11期1206-1210,共5页周剑英李锡华周小平陈克坚赵旭王明华; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 770 3 4)~~; 研制了利用直线法设计的基于 Ga As衬底上的 Mach- Zehnder行波光调制器 .波导层使用了场诱折射率改变量较大的非对称多量子阱结构 ,采用脊型波导 ,并湿法刻蚀出台面以消除波导区以外的载流子引起的损耗 .调制器电极微波特性测试结果表...; 关键词：调制器马赫-曾德尔多量子阱

GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究被引量：1: 《激光与红外》2003年第6期428-429,共2页杨晓妍杨琏朱明方刘杰任大翠; 研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高...; 关键词：半导体功率放大激光器 GAALAS/GAAS 直接耦合谐振腔

新型GaAlAs/GaAs微机械热调谐垂直滤波器: 《半导体信息》2003年第2期37-38,共2页郑冬冬; 基于微电子机械系统的可调谐滤波器和垂直腔表面发射激光器具有宽的连续调谐范围、无偏振灵敏工作和二维陈列集成的独特性能,因而已引起极大关注。但它的一大缺点是需要几十伏的调谐电压,此外由于微机械悬臂是通过静电力向下移动,其实...; 关键词：GAALAS/GAAS 微机械调谐范围热应变可调谐微电子机械系统加热元件热膨胀系数空气隙应变控制

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器: 《吉林工业大学自然科学学报》2001年第4期63-65,共3页万春明徐安怀曲轶; 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０Ｗ，...; 关键词：半导体激光器分子束外延生长量子阱输出功率梯度折射率 GAALAS GaAs 砷化镓镓铝砷

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