半导体功率放大激光器

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InGaAsP/InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究
《激光与红外》2008年第3期214-215,共2页杨琏 杨晓妍 王征宇 李松柏 王安锋 薄报学 
通过对波长1.3μm InGaAsP/InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词：半导体 功率放大 耦合 减反射膜 
半导体功率放大激光器耦合效率的研究
《激光与红外》2006年第10期938-939,共2页杨琏 杨晓妍 朱明方 刘丹 王征宇 李松柏 王安锋 博报学 任大翠 
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词：半导体功率放大 耦合效率 减反射膜 
GaAlAs半导体功率放大激光器耦合效率的研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2006年第3期12-13,共2页杨晓妍 杨琏 刘丹 王征宇 李松柏 王安锋 
通过对波长808nm的GaAIAs／GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69％和32．6％提高到镀膜后的90％和80％以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词：半导体 功率放大 耦合 减反射膜 
半导体功率放大激光器及列阵的研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2004年第1期24-25,共2页杨晓妍 杨琏 朱明方 刘杰 叶文 李光耀 王兴权 
研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透...
关键词：半导体功率放大器 LD-SLA 集成 高反射膜 谐振腔 半导体激光器 功率放大器 
GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究被引量：1
《激光与红外》2003年第6期428-429,共2页杨晓妍 杨琏 朱明方 刘杰 任大翠 
研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高...
关键词：半导体功率放大激光器 GAALAS/GAAS 直接耦合 谐振腔 
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