任大翠

作品数：27被引量：23H指数：3
导出分析报告
供职机构：长春理工大学更多>>
发文主题：半导体激光器激光器液相外延量子阱激光器微腔激光器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光学学报》《激光与红外》《中国激光》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：兵器预研支撑基金中国科学院知识创新工程国防科技重点实验室基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
半导体功率放大激光器耦合效率的研究
《激光与红外》2006年第10期938-939,共2页杨琏 杨晓妍 朱明方 刘丹 王征宇 李松柏 王安锋 博报学 任大翠 
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词：半导体功率放大 耦合效率 减反射膜 
GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究被引量：1
《激光与红外》2003年第6期428-429,共2页杨晓妍 杨琏 朱明方 刘杰 任大翠 
研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高...
关键词：半导体功率放大激光器 GAALAS/GAAS 直接耦合 谐振腔 
双包层光纤激光器被引量：3
《长春理工大学学报（自然科学版）》2002年第2期28-29,53,共3页任大翠 王国政 
中国科学院创新工程项目
报道了双包层光纤激光器的发展现状 ,给出了圆环形和偏心形双包层光纤激光器泵浦效率的计算公式 ,并对二者进行了比较。
关键词：双包层光纤激光器 泵浦效率 计算 
MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1057-1062,共6页吴根柱 张子莹 任大翠 张兴德 
兵器预研基金资助项目 (CHGJ-1998)
用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激...
关键词：微碟激光器 多量子阱光泵 MOCVD生长 INGAAS/INGAASP 
半导体微腔激光器阈值特性分析被引量：2
《半导体光电》2000年第5期325-327,共3页吴根柱 张宝顺 曲轶 任大翠 张兴德 
兵器预研项目!(CHGJ- 1998- )
利用速率方程理论讨论了半导体微腔激光器的激射阈值与自发发射耦合系数 β之间的关系 ,分析了降低阈值的途径 ,为器件设计提供了依据。
关键词：微腔激光器 速率方程 自发发射 半导体激光器 
InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究被引量：2
《中国激光》2000年第8期687-690,共4页杨进华 任大翠 张剑家 杜宝勋 张兴德 
用改进的液相外延方法 L PE 生长了无铝的 In Ga As P/Ga As分别限制单量子阱半导体激光器 ,测量其远场分布近似为高斯分布 .用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型 ,并简单解释了其生成原因 。
关键词：半导体激光器 单量子阱 INGAASP/GAAS 
异质结构对半导体激光器输出特性的影响
《长春光学精密机械学院学报》2000年第1期1-3,共3页任大翠 杨进华 杜宝勋 杜震霖 
国防科技重点实验室基金
异质结构是半导体激光器最基本也是最重要的结构。双异质结构实现了光和载流子的完全限制 ,使阈值电流密度大幅度下降。异质结构引进的带隙差可以实现高注入比、进一步降低了阈值电流 ,同时提高了输出功率。分别限制异质结构 ,波导层折...
关键词：异质结构 阀值 远场分布 半导体激光器 输出特性 
半导体微腔激光器
《半导体光电》1999年第5期349-351,共3页任大翠 宋晓伟 吴根柱 
兵器预研项目
文章简要叙述了微腔激光器的基本工作原理。采用先进的ＬＰＥ及反应离子刻蚀等微细加工技术制作了盘型－ 图钉式微腔结构，测得其有源区的光荧光谱的半宽度为０ ．０３２ ｅＶ，波长为８１５ ．３３ ｎｍ 。
关键词：半导体激光器 微腔激光器 自发辐射 
夜视系统用GaAs/GaAlAs半导体激光器被引量：2
《半导体光电》1999年第5期363-365,共3页宋晓伟 李梅 李军 任大翠 
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ 夜视系统用光源。样品质量达到了设计要求。测量结果表明，样品在１０ Ｋ 下的光荧光谱的峰值波长为９２６ ．２６ ｎｍ 。利用该材料制作的激光二极管，其峰值输出功率达到１５...
关键词：半导体激光器 液相外延 夜视系统 
GaAlAs/GaAs量子阱LD泵浦Nd:YAG激光器
《半导体光电》1998年第6期407-408,共2页王晓华 史全林 王玉霞 任大翠 
利用分子束外延技术生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对Ｎｄ：ＹＡＧ激光器进行端面泵浦实验，在工作电流为３．３Ａ时，ＬＤ输出功率为２．７Ｗ，得到Ｎｄ：ＹＡ...
关键词：激光二极管 量子阱 钕:YAG激光器 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部