张子莹

作品数：3被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MOCVD生长MBE生长INGAAS/INGAASP微碟激光器砷化镓更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1057-1062,共6页吴根柱 张子莹 任大翠 张兴德 
兵器预研基金资助项目 (CHGJ-1998)
用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激...
关键词：微碟激光器 多量子阱光泵 MOCVD生长 INGAAS/INGAASP 
低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
《Journal of Semiconductors》1998年第3期218-220,共3页陈博 王圩 汪孝杰 张静媛 朱洪亮 周帆 王玉田 马朝华 张子莹 刘国利 
本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几...
关键词：DFB激光器 LP-MOCVD 量子阱 生长技术 
GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》1996年第3期227-230,共4页牛智川 周增圻 林耀望 周帆 潘昆 张子莹 祝亚芹 王守武 
本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的...
关键词：砷化镓 脊形量子线结构 MBE生长 
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