云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAAS/INGAASP

INGAAS/INGAASP: 作品数：19被引量：22H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王圩朱洪亮马晓辉韩德俊马春生更多>>; 相关机构：中国科学院长春理工大学北京师范大学吉林大学更多>>; 相关期刊：《Science Bulletin》《中国激光》《发光学报》《物理学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器: 《红外与激光工程》2024年第6期90-97,共8页段阳林中晞苏辉; 国家重点研发计划项目(2023YFB2804803);中国科学院海西研究院自主部署项目(CXZX-2022-GH09);闽都创新实验室自主部署项目(2021ZR114)。; 针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,...; 关键词：半导体激光器碰撞锁模 InP基材料 InGaAs/InGaAsP多量子阱

Metamorphic growth of 1.55 μm InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells laser structures on GaAs substrates: 《Chinese Optics Letters》2015年第3期32-36,共5页李小波黄永清王俊段晓峰张瑞康李业弘刘正王琦张霞任晓敏; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274044 and61020106007);the National Basic Research Program of China(No.2010CB327600);the Natural Science Foundational Science and Technology Cooperation Projects(No.2011RR000100);the 111 Project of China(No.B07005);the Fundamental Research Funds for the Central University(No.2013RC1205);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education(No.20130005130001); We fabricate a GaAs-based InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells （MQWs） laser at 1.55 pm. Using two-step growth method and thermal cyclic annealing, a thin low-temperature InP layer and a thick InP buffer layer are g...; 关键词：AS In GA m InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells laser structures on GaAs substrates Metamorphic growth of 1.55

1.82-μm distributed feedback lasers with InGaAs/InGaAsP multiple-quantum wells for a H_2 O sensing system被引量：3: 《Chinese Optics Letters》2013年第3期41-44,共4页于红艳潘教青邵永波王宝军周代兵王圩; supported by the National "863" Project of China(No.2012AA012203);the National "973" Program of China(No.2011CB301702); High-strained InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells （MQWs） distributed feedback （DFB） lasers, fab- ricated using metal organic chemical vapor deposition, are presented at 1,82 μm with a high side-mode- suppressio...; 关键词：INGAAS WELL m distributed feedback lasers with InGaAs/InGaAsP multiple-quantum wells for a H2 O sensing system DFB

1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性被引量：6: 《发光学报》2012年第6期647-650,共4页李再金芦鹏李特曲轶薄报学刘国军马晓辉; 国家自然科学基金(61107054);吉林省科技发展计划(201201124)资助项目; 研究了1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在15～55℃范围内所测的输出光功率由40.7 W降低到29.4...; 关键词：半导体激光器 1.06μm 阈值电流温度特性

大功率980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器热特性被引量：2: 《中国激光》2009年第6期1356-1359,共4页裘利平郭伟玲罗丹崔碧峰张蕾沈光地; 国家863计划(SQ2007AA03Z431230)资助课题; 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器,测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980 nmInGaAs SQW激光器在30～70℃范围内的P-I-V特性...; 关键词：激光器大功率激光器热特性无铝特征温度

Thermal conductivity measurement of InGaAs/InGaAsP superlattice thin films被引量：2: 《Chinese Science Bulletin》2006年第23期2931-2936,共6页CHEN Zhen YANG Juekuan ZHUANG Ping CHEN Minhua ZHU Jian CHEN Yunfei; This work was supported by the National Basic Research Program of China(2006CB300404);National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.50275026,50475077,50505007&50506008);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK2002060);research funding for the Doctor program from Chinese Education Ministry(20050286019);Chen Yunfei also acknowledges the financial support from the Program for New Century Excellent Talents in University(NCET-04-0470).; The thermal conductivities of InGaAs/ InGaAsP superlattices with different period lengths were measured from 100 to 320 K using 3ω method. In this temperature range, the thermal conductivities were found to decrease ...; 关键词：3ω法热传导性超晶格薄膜

InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜导热系数测试: 《科学通报》2006年第13期1601-1605,共5页陈震杨决宽庄苹陈敏华朱健陈云飞; 国家自然科学基金（批准号：50275026,50475077,50505007,50506008）;国家重点基础研究发展规划（编号：2006CB300404）;江苏省自然科学基金（批准号：BK2002060）;教育部博士点基金（批准号：20050286019）;新世纪优秀人才支持计划（编号：NCET-04-0470）资助项目.; 采用3ω方法在100～320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数.结果表明对于周期性超晶格结构,随着温度的升高,热传导能力下降;比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果,发现导热系数会随着周期长度的增...; 关键词：3ω实验导热系数超晶格薄膜

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备被引量：4: 《物理学报》2006年第10期5216-5220,共5页潘教青赵谦朱洪亮赵玲娟丁颖王宝军周帆王鲁峰王圩; 国家自然科学基金(批准号:60176023)资助的课题.~~; 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温...; 关键词：MOCVD INGAAS/INGAASP 应变量子阱分布反馈激光器

Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74μm被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第9期1688-1691,共4页潘教青王圩朱洪亮赵谦王宝军周帆王鲁峰; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60176023); The compressively strained InGaAs/InGaAsP quantum well distributed feedback laser with ridge-wave- guide is fabricated at 1.74μm. It is grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition（MOCVD）. A strain...; 关键词：DFB laser compressive strain quantum well

HCl/HF/CrO_3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备: 《Journal of Semiconductors》2005年第7期1469-1474,共6页黄辉王兴妍任晓敏王琦黄永清高俊华马晓宇; 国家自然科学基金重大项目(批准号:90201035);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA312020);国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314901)资助项目~~; 利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga...; 关键词：半导体器件制造工艺楔形结构动态掩膜湿法腐蚀技术刻蚀选择性湿法 HCl/HF/CrO3溶液 INGAASP INGAAS

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