云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 赵谦

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长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备被引量：4: 《物理学报》2006年第10期5216-5220,共5页潘教青赵谦朱洪亮赵玲娟丁颖王宝军周帆王鲁峰王圩; 国家自然科学基金(批准号:60176023)资助的课题.~~; 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温...; 关键词：MOCVD INGAAS/INGAASP 应变量子阱分布反馈激光器

渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料: 《物理学报》2006年第6期2982-2985,共4页赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩; 国家"973"计划(批准号:G2000068301);国家"863"计划(批准号:2002AA312150);国家自然科学基金项目(批准号:90101023;60176023;60476009)资助的课题~~; 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变...; 关键词：超低压选择区域生长渐变掩蔽图形

用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源被引量：4: 《物理学报》2006年第3期1259-1263,共5页赵谦潘教青张靖李宝霞周帆王宝军王鲁峰边静赵玲娟王圩; 国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:G2000068301);国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2002AA312150);国家自然科学基金(批准号:90101023;60176023;60476009)资助的课题.~~; 采用超低压(22×10~2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition,MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反...; 关键词：超低压选择区域生长集成光电子器件 10 Gb/s

超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源被引量：4: 《物理学报》2006年第1期261-266,共6页赵谦潘教青张靖周光涛伍剑周帆王宝军王鲁峰王圩; 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:G2000068301);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312150);国家自然科学基金(批准号:90101023;60176023;60476009)资助的课题~~; 采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electro absorption modulator,EAM)与分布反馈...; 关键词：超低压选择区域生长集成光电子器件超短光脉冲

Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74μm被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第9期1688-1691,共4页潘教青王圩朱洪亮赵谦王宝军周帆王鲁峰; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60176023); The compressively strained InGaAs/InGaAsP quantum well distributed feedback laser with ridge-wave- guide is fabricated at 1.74μm. It is grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition（MOCVD）. A strain...; 关键词：DFB laser compressive strain quantum well

InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质被引量：2: 《Journal of Semiconductors》1998年第6期401-405,共5页陈枫封松林杨锡震王志明赵谦温亮生; 国家攀登计划;国家自然科学基金; 我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级相对于ＧａＡｓ的...; 关键词：砷化铟自组织生长量子点电子基态

扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究被引量：2: 《Journal of Semiconductors》1998年第2期158-160,共3页赵谦封松林王志明; 国家自然科学基金;国家攀登计划; 本文报道了用ＭＢＥ－ＳＰＭ联合系统对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点进行准原位研究的初步结果．ＳＴＭ图像表明，在对ｎ＋－ＧａＡｓ衬底进行脱氧处理后，通过生长ＧａＡｓ缓冲层能有效的改善表面质量．在缓冲层上继续生长２单原子层Ｉｎ...; 关键词：MBE-SPM 砷化镓砷化铟量子点 STM

自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应: 《红外与毫米波学报》1997年第6期455-458,共4页王志明吕振东封松林赵谦李树英吉秀江陈宗圭徐仲英郑厚植; 国家自然科学基金;中国科学院重点资助; 通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩...; 关键词：量子点退火砷化铟自组织生长砷化镓

不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响被引量：4: 《Journal of Semiconductors》1997年第9期714-717,共4页王志明吕振东封松林赵谦李树英吉秀江陈宗圭徐仲英郑厚植; 国家自然科学基金;国家攀登计划资助; 本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强．GaAs盖层越厚，量干点的互扩散越明显，发光峰蓝...; 关键词：砷化镓量子点退火效应自组织生长厚度

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