安欣

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：电吸收调制器激光器电吸收调制激光器取样光栅分布反馈激光器更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《光学学报》《光电子．激光》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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25Gb／s单片集成电吸收调制分布反馈激光器被引量：1
《光学学报》2015年第A01期209-212,共4页周代兵 边静 安欣 王宝军 张瑞康 赵玲娟 吉晨 王圩 
国家863计划（2011AA010303,2012AA012203）、国家973计划（2011CB301702）、国家自然科学基金（61321063,6132010601）
采用选区外延生长应变InGaAsP／InGaAsP多量子阱有源层，制备出带宽为25Gb／s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器。激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535rim和1497nm，偏调约为38rim。利用全息技术在激光器区制备光栅，集成器...
关键词：激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 选择区域生长 
端面反射对SG-DBR激光器性能的影响
《光电子．激光》2010年第11期1635-1637,共3页刘扬 潘教青 王宝军 边静 安欣 赵玲娟 
国家自然科学基金资助项目(90401025;60736036;60706009;60777021);国家"973"计划资助项目(2006CB604901;2006CB604902);国家"863"计划资助项目(2006AA01Z256;2007AA03Z419;2007AA03Z417)
通过传输矩阵模型,理论研究了不同端面反射的存在对取样光栅分布Bragg反射(SG-DBR)镜以及集成半导体放大器(SOA)的SG-DBR镜反射谱的影响,进而研究了端面反射的存在对SG-DBR激光器以及集成SOA的激光器模式的影响,结果表明,端面反射的存...
关键词：可调谐激光器 取样光栅分布Bragg反射镜(SG-DBR) 单片集成 半导体光放大器(SOA) 传输矩阵 
采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布被引量：1
《物理学报》2007年第5期2751-2755,共5页杨华 朱洪亮 潘教青 冯文 谢红云 周帆 安欣 边静 赵玲娟 陈娓兮 王圩 
国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:G2000068301);国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2002AA312150);国家自然科学基金(批准号:90101023;60176023;60476009)资助的课题~~
设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption,EA)调制器.模拟和测试的结果均表明:单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布,使椭圆形的近场光斑变得圆形化,从而达到与圆形模式光纤之间的匹配,有利于提高耦...
关键词：单边大光腔 电吸收(EA)调制器 光场分布 耦合效率 
渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
《物理学报》2006年第6期2982-2985,共4页赵谦 潘教青 张靖 周帆 王宝军 王鲁峰 边静 安欣 赵玲娟 王圩 
国家"973"计划(批准号:G2000068301);国家"863"计划(批准号:2002AA312150);国家自然科学基金项目(批准号:90101023;60176023;60476009)资助的课题~~
采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变...
关键词：超低压 选择区域生长 渐变掩蔽图形 
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