周代兵

作品数：4被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：激光器电吸收调制器电吸收调制激光器单片集成光栅更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《光学学报》《光电子．激光》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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25Gb／s单片集成电吸收调制分布反馈激光器被引量：1
《光学学报》2015年第A01期209-212,共4页周代兵 边静 安欣 王宝军 张瑞康 赵玲娟 吉晨 王圩 
国家863计划（2011AA010303,2012AA012203）、国家973计划（2011CB301702）、国家自然科学基金（61321063,6132010601）
采用选区外延生长应变InGaAsP／InGaAsP多量子阱有源层，制备出带宽为25Gb／s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器。激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535rim和1497nm，偏调约为38rim。利用全息技术在激光器区制备光栅，集成器...
关键词：激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 选择区域生长 
高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制
《半导体光电》2011年第6期789-792,共4页邱应平 汪洋 邵永波 周代兵 赵玲娟 王圩 
国家"973"计划项目(2011CB301702)
设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(D-EAM)。同时,作为实验对照组,还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(N-EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明,D-EAM的电容明显要小于N-EAM。脊波...
关键词：“双耗尽”有源区 电容 静态消光比 RC常数 电荷层 
双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究被引量：2
《光电子．激光》2007年第1期40-42,共3页赵妙 谭满清 周代兵 吴旭明 王晓东 
采用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2得到的混合膜层,折射率不仅可调,而且比Si膜要高。用原子力显微镜(AFM)分别对单纯镀的Si膜与双源电子束蒸发镀的Si/SiO2混合膜层的表面形貌进行了观测,结果表明,前者表面疏松,有明...
关键词：介质光学膜 致密性 双源电子束蒸发 折射率 蒸发速率 
双源电子束蒸发制备Si/SiO_2光学薄膜的工艺被引量：8
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1586-1589,共4页赵妙 周代兵 谭满清 王晓东 吴旭明 
用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO_2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO_2蒸发速率比变化的规律,并讨...
关键词：薄膜 介质光学膜 双源电子束蒸发 折射率 蒸发速率 
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