邵永波

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：多量子阱波导结构电吸收调制器盖层光放大器更多>>
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高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制
《半导体光电》2011年第6期789-792,共4页邱应平 汪洋 邵永波 周代兵 赵玲娟 王圩 
国家"973"计划项目(2011CB301702)
设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(D-EAM)。同时,作为实验对照组,还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(N-EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明,D-EAM的电容明显要小于N-EAM。脊波...
关键词：“双耗尽”有源区 电容 静态消光比 RC常数 电荷层 
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