云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 高俊华

高俊华: 作品数：22被引量：44H指数：4; 导出分析报告; 供职机构：北京邮电大学更多>>; 发文主题：GAAS激光器DBR选择性湿法刻蚀垂直腔面发射激光器更多>>; 发文领域：电子电信理学更多>>; 发文期刊：《光子学报》《高技术通讯》《红外与毫米波学报》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>

利用光子晶体提高InP基LED出光效率被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第5期921-925,共5页杜伟许兴胜孙增辉鲁琳高俊华赵致民王春霞陈弘达; 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA311020);国家自然科学基金(批准号:60345008;60377011)资助项目~~; 应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程...; 关键词：光子晶体电子束曝光反应离子束刻蚀 LED出光效率

基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合: 《Journal of Semiconductors》2005年第8期1667-1670,共4页黄辉王兴妍王琦陈斌黄永清任晓敏孙增辉钟源高俊华马骁宇陈弘达陈良惠; 国家自然科学基金重大项目(批准号:90201035);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA312020);国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314902)资助项目~~; 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量...; 关键词：晶片键合 GAAS INP 低温硫化物

HCl/HF/CrO_3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备: 《Journal of Semiconductors》2005年第7期1469-1474,共6页黄辉王兴妍任晓敏王琦黄永清高俊华马晓宇; 国家自然科学基金重大项目(批准号:90201035);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA312020);国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314901)资助项目~~; 利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga...; 关键词：半导体器件制造工艺楔形结构动态掩膜湿法腐蚀技术刻蚀选择性湿法 HCl/HF/CrO3溶液 INGAASP INGAAS

基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2004年第2期170-173,共4页黄辉王兴妍王琦黄永清任晓敏高俊华张胜利刘宇祝宁华马骁宇杨晓红吴荣汉; 国家高技术研究发展计划 (编号 :2 0 0 2 AA3 12 2 9Z);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 10 3 5 )资助项目~~; 报道了一种长波长的 In P基谐振腔 (RCE)光电探测器 .采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 .制备的器件在波长 1.5 10 μm处获得了约 5 9%的峰值量子效率 ,以及 8GHz...; 关键词：谐振腔增强型光电探测器长波长空气隙选择性湿法刻蚀

1.3μm Si-Based MOEMS Optical Tunable Filter with a Tuning Range of 90nm: 《Journal of Semiconductors》2003年第11期1140-1144,共5页左玉华黄昌俊成步文蔡晓毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华朱家廉王良臣余金中王启明; 国家重点基础研究发展规划(No.G2 0 0 0 0 3 660 3 );国家自然科学基金(批准号:9610 40 0 3 );国家高技术研究发展计划 (No.2 0 0 2 AA3 12 0 10 )资助项目~~; Optical filters capable of single control parameter based wide tuning are implemented and studied.A prototype surface micromachined 1 3μm Si based MOEMS (micro opto electro mechanical systems) tunable filter e...; 关键词：MOEMS Fabry Perot tunable filter surface micromaching

1.55μm Fabry-Perot Thermo-Optical Tunable Filter with Amorphous-Si as Cavity: 《Journal of Semiconductors》2003年第9期911-915,共5页左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明; 国家重点基础研究发展规划 (No .G2 0 0 0 0 36 6 0 3);国家自然科学基金 (批准号 :96 10 4 0 0 3);国家高技术研究发展计划 (No .2 0 0 2AA312 0 10 )资助项目~~; A 1.55μm Fabry-Perot (F-P) thermo-optical t unable filter is fabricated.The cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation technique.Due to the excellent thermo-optical property o...; 关键词：thermo-optical effect FABRY-PEROT tunable filter A-SI

镜面起伏对1.55μm Si基MEMS光滤波器的影响被引量：10: 《光子学报》2003年第6期661-664,共4页左玉华毛容伟黄昌俊蔡晓李传波成步文罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明; 国家重点基础研究发展规划(973项目)G2 0 0 0 0 36 6 0 3;自然科学基金重大课题 (No .96 10 4 0 0 3);863项目2 0 0 2AA312 0 10资助项目; 用传输矩阵方法 ,在简化的光学模型基础上 ,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(DistributedBraggReflector)的生长精度及镜面起伏对 1.5 5 μmSi基MEMS (Micro Electro Mechanical System)可调谐光滤波器透射谱的影响计算表明 :DBR生长...; 关键词：光学模型 MEMS光滤波器可调谐光滤波器透射谱 DBR 镜面起伏滤波特性 DWDM 密集波分复用系统光通信

HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2002年第2期208-212,共5页黄辉黄永清任晓敏高俊华罗丽萍马骁宇; 国家杰出青年基金(批准号 :6962 5 10 1);国家自然基金(批准号 :699760 0 7)资助项目~~; 利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As...; 关键词：制备楔形结构铝镓砷化物合选择性湿法刻蚀 HF-CrO3溶液

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2001年第9期1222-1225,共4页刘文楷林世鸣武术朱家廉高俊华渠波陆建祖廖奇为邓晖陈弘达; 国家自然科学基金项目 (批准号 :6 9896 2 6 0 ;6 99370 10 )~~; 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga...; 关键词：反应离子刻蚀刻蚀速率 DBR 砷化镓砷化铝

低阈值红光垂直腔面发射激光器被引量：1: 《高技术通讯》1999年第7期17-19,共3页林世鸣程澎康学军马晓宇高俊华刘士安张光斌曹青朱家廉王红杰罗丽萍; 863计划资助项目;国家自然科学基金; 研究了红光垂直腔面发射激光器的结构设计、外延生长及器件制作，实现了室温连续激射，其最低阈值电流达到０．２５ｍＡ。; 关键词：半导体激光器 VCSEL 氧化工艺激光器

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高俊华

检索结果分析

署名顺序

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高俊华

检索结果分析

署名顺序

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索