陆建祖

作品数：5被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：CVD淀积反应离子刻蚀人工神经网络介质膜DBR更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》《光学仪器》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1222-1225,共4页刘文楷 林世鸣 武术 朱家廉 高俊华 渠波 陆建祖 廖奇为 邓晖 陈弘达 
国家自然科学基金项目 (批准号 :6 9896 2 6 0 ;6 99370 10 )~~
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga...
关键词：反应离子刻蚀 刻蚀速率 DBR 砷化镓 砷化铝 
反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2000年第4期420-424,共5页陆建祖 魏红振 李玉鉴 张永刚 林世鸣 余金中 刘忠立 
"8 63"资助项目!30 7- 15- 3( 0 8)
以SF6 N2 混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法 :在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型 ,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比 ,并且以仿真实验数据训...
关键词：人工神经网络 反应离子刻蚀 工艺仿真模型 
ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟
《功能材料与器件学报》2000年第3期248-251,共4页谭满清 陆建祖 李玉鉴 
863资助项目!307-15-3(08)
以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q...
关键词：ECRPlasmaCVD 光电器件介质膜 工艺模拟 沉积 
ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟
《Journal of Semiconductors》1999年第12期1109-1114,共6页李玉鉴 谭满清 茅冬生 陆建祖 
国家"863"高技术计划项目!307-06-04(01)
用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ） 镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ 关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型．在给定气流配比Ｑ（Ｎ...
关键词：介质膜 折射率 神经网络 等离子法 化学气相沉积 
ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟
《光学仪器》1999年第4期51-55,共5页谭满清 陆建祖 李玉鉴 
以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ 与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学...
关键词：ECR PLASMA CVD 光学膜 工艺模拟 CVD 
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