ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟  

Neural-Network Simulation of Refractive Index of Dielectric Thin Film Deposition by ECR Plasma CVD

作　　者：李玉鉴[1] 谭满清[1] 茅冬生[1] 陆建祖[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所神经网络组光电子器件国家工程研究中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第12期1109-1114,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"863"高技术计划项目!307-06-04(01)

摘　　要：用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ） 镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ 关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型．在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好．By artificial neural network, a mathematical model has been established for the relation between refractive index and gas\|flow ratio Q (N\-2)/ Q (SiH\-4) as well as Q (O\-2)/ Q (SiH\-4), and based on this model, a good prediction has been made for refractive index n when gas\|flow ratio Q (N\-2)/ Q (SiH\-4) and Q (O\-2)/ Q (SiH\-4) are given. PACC:0650, 7125T, 6590

关 键 词：介质膜 折射率 神经网络 等离子法 化学气相沉积 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]