GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究  

Research on Etch Rate of Reactive Ion Etching of GaAs,AlAs and DBR

作　　者：刘文楷[1] 林世鸣[1] 武术[1] 朱家廉[1] 高俊华[1] 渠波[1] 陆建祖[1] 廖奇为[1] 邓晖[1] 陈弘达[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第9期1222-1225,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金项目 (批准号 :6 9896 2 6 0 ;6 99370 10 )~~

摘　　要：采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.The reactive ion etching of GaAs,AlAs and DBR are developed by using a gas mixture of BCl 3 and Ar.Controlling the process parameters such as total gas flow,radio-frequency power,pressure and gas flow ratio,the etching rate can be controlled.The experiments indicate that under the same condition,the etching rate of GaAs is higher than those of AlAs and DBR.In the experiments,the etching rates of GaAs,AlAs and DBR can reach 400,350 and 340nm/min,respectively.Meanwhile by changing reactive parameters,smooth enchant profiles can be obtained and the gradient of the side-wall can reach 85°.

关 键 词：反应离子刻蚀 刻蚀速率 DBR 砷化镓 砷化铝 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]