低阈值红光垂直腔面发射激光器  

Low Threshold Red Vertical Cavity Surface Emitting Lasers

作　　者：林世鸣[1] 程澎[1] 康学军[1] 马晓宇[1] 高俊华[1] 刘士安 张光斌[1] 曹青[1] 朱家廉[1] 王红杰[1] 罗丽萍[1] 

机构地区：[1]中科院半导体所集成光电子国家重点实验室

出　　处：《高技术通讯》1999年第7期17-19,共3页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划资助项目;国家自然科学基金

摘　　要：研究了红光垂直腔面发射激光器的结构设计、外延生长及器件制作，实现了室温连续激射，其最低阈值电流达到０．２５ｍＡ。The investigations of the design of structure, the epitaxy growth and the processing for Red Vertical Cavity Surface Emitting Lasers are performed. The continue wave opration at room temperature is realized. The lowest threshold current is 0.25mA.

关 键 词：半导体激光器 VCSEL 氧化工艺 激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]