康学军

作品数：10被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：垂直腔面发射激光器半导体激光器激光器砷化镓VCSEL更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《高技术通讯》《红外与毫米波学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
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缀饰激子在半导体微腔中的辐射
《光电子．激光》2000年第3期221-223,共3页刘世安 林世鸣 康学军 张光斌 程澎 王启明 
"八六三"高技术项目;国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学基金资助项目! ( 698962 60 ;696870 0 3 )
本文建立了半导体微腔的缀饰激子模型。在 VCSEL 器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合 ,形成缀饰态。而后作为多粒子过程 ,缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过 QED方法 ,我们得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰变方程。...
关键词：缀饰激子 半导体微腔 超辐射 
多量子阱RCE光探测器的响应及调谐特性的实验研究
《光通信技术》2000年第2期115-118,共4页刘立义 刘凯 黄辉 黄永清 任晓敏 马骁宇 康学军 
国家自然科学基金项目!( 6962 5 10 1);国家 863计划项目!( 3 0 7-16-0 2 );教育部留学归国人员科研启动基金
报道了在国内首次研制成功的 Ga As/ A1Ga As材料系的多量子阱结构的谐振腔增强型(RCE)光探测器。实验测得器件的响应具有明显的波长选择特性 ,其峰值响应波长位于 84 3nm附近 ,半峰值宽度 6 .96 nm,并初步观察到了器件的电调谐特性。...
关键词：光探测器 多量子阱 RCE 可调谐 波分复用 
低阈值红光垂直腔面发射激光器被引量：1
《高技术通讯》1999年第7期17-19,共3页林世鸣 程澎 康学军 马晓宇 高俊华 刘士安 张光斌 曹青 朱家廉 王红杰 罗丽萍 
863计划资助项目;国家自然科学基金
研究了红光垂直腔面发射激光器的结构设计、外延生长及器件制作，实现了室温连续激射，其最低阈值电流达到０．２５ｍＡ。
关键词：半导体激光器 VCSEL 氧化工艺 激光器 
Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第10期791-795,共5页康学军 林世鸣 高俊华 廖奇为 朱家廉 王红杰 张春晖 王启明 
本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa...
关键词：多层异质材料 Ⅱ-Ⅴ族 化含物半导体 
GaAs　VCSEL/MISS混合集成光子开关
《高技术通讯》1997年第7期36-38,共3页康学军 林世鸣 廖奇为 高俊华 王红杰 朱家廉 张春晖 王启明 
863计划资助
报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AIAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现...
关键词：半导体激光器 集成 光子开关 
由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器被引量：4
《Journal of Semiconductors》1996年第11期873-876,共4页康学军 林世鸣 高俊华 高洪海 王启明 王红杰 王立轩 张春晖 
国家自然科学基金
本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发...
关键词：VCSELS 激光器 砷化镓 ALGAAS 
Zn扩散工艺在降低VCSELp型DBR串联电阻中的应用被引量：2
《半导体光电》1996年第3期243-247,共5页高洪海 高俊华 林世鸣 康学军 王红杰 王立轩 
国家自然科学基金
垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ...
关键词：半导体器件 激光器 扩散 
InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
《红外与毫米波学报》1996年第3期218-220,共3页刘颖 杜国同 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世呜 高洪海 高俊华 王洪杰 康学军 
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
关键词：INGAAS 量子阱 面发射 激光器 
室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵被引量：1
《高技术通讯》1996年第5期48-50,共3页林世鸣 康学军 高俊华 高洪海 王启明 王红杰 王立轩 张春晖 
863计划资助
报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉...
关键词：垂直腔面发射 激光器 氧化法 砷化镓 ALGAAS 
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第12期951-954,共4页刘颖 杜国同 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世鸣 康学军 高洪海 高俊华 王红杰 
"863"高技术基金
本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的...
关键词：半导体激光器 砷化镓 GAALAS 激光器 
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