刘素平

作品数：5被引量：5H指数：2
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供职机构：吉林大学更多>>
发文主题：激光器垂直腔面发射激光器垂直腔面发射半导体激光器半导体激光器质子轰击更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《中国激光》《Journal of Semiconductors》更多>>
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InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
《红外与毫米波学报》1996年第3期218-220,共3页刘颖 杜国同 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世呜 高洪海 高俊华 王洪杰 康学军 
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
关键词：INGAAS 量子阱 面发射 激光器 
分布布拉格反射镜中具有渐变层的垂直腔面发射半导体激光器被引量：1
《中国激光》1996年第1期40-42,共3页刘颖 姜秀英 刘素平 张晓波 杜国同 
报道了分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作方法中最简单的。初步的实验已实现室温宽脉冲高占空比激射，最...
关键词：垂直腔 半导体激光器 DBR 激光器 
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第12期951-954,共4页刘颖 杜国同 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世鸣 康学军 高洪海 高俊华 王红杰 
"863"高技术基金
本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的...
关键词：半导体激光器 砷化镓 GAALAS 激光器 
具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器被引量：3
《Journal of Semiconductors》1995年第5期350-353,共4页杜国同 姜秀英 刘素平 刘颖 高鼎三 
本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果．所用的外延片是由分子束外延生长的，下镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器，上镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａ...
关键词：VC-SELD 激光器 钨丝 质子轰击 
阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管
《Journal of Semiconductors》1995年第4期272-275,共4页邢进 刘素平 姜秀英 赵方海 曲轶 杜国同 
报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”，测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性．
关键词：发光二极管 SLD TSIS 吸收区结构 
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