邢进

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供职机构：吉林大学更多>>
发文主题：超辐射发光二极管光学非球面计算机控制抛光ALGAAS/GAAS更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
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阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管
《Journal of Semiconductors》1995年第4期272-275,共4页邢进 刘素平 姜秀英 赵方海 曲轶 杜国同 
报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”，测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性．
关键词：发光二极管 SLD TSIS 吸收区结构 
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