云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 毛容伟

毛容伟: 作品数：16被引量：31H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：共振腔可调谐滤波器探测器可调谐光滤波器调谐更多>>; 发文领域：电子电信理学更多>>; 发文期刊：《半导体光电》《光学学报》《光子技术》《光子学报》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>

基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器被引量：1: 《半导体光电》2006年第5期543-546,共4页侯识华孙捷毛容伟吴旭明马骁宇谭满清陈良惠; 国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA312180); 采用表面微机械技术制作了一种1 310 nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry-Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径约为70μm,在1.4 V的调谐电压下,调谐范围达到15 nm。并采用光学传输矩阵方法,分析了斜入射对这种可调...; 关键词：可调谐滤波器 InP/空气隙分布布拉格反射镜 FABRY-PEROT 表面微机械技术

随机生长误差对双腔型平顶法布里珀罗滤波器的影响被引量：1: 《光学学报》2006年第4期625-629,共5页蔡晓左玉华毛容伟王启明; 国家自然科学基金(90401001;60336010);国家973计划(G2000036603);国家863计划(2002AA312010)和资助课题; 在光网络中平顶滤波器可以有效地提高信道光检测的快速性和准确性。利用两个法布里珀罗腔间的串联耦合,可以构建出具有平顶透射特性的双腔型法布里珀罗滤波器。采用传输矩阵的方法,研究了随机生长误差对双腔型平顶滤波器透射特性的影响...; 关键词：光学器件平顶滤波器法布里-珀罗腔双半波腔传输矩阵

硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究被引量：3: 《光子学报》2005年第12期1783-1787,共5页毛容伟成步文李传波左玉华滕学公罗丽萍余金中王启明; 国家重点基础研究发展规划(973项目;No.G2000036603);863项目(No.2002AA312010);国家自然科学基金(No.90104003;60376025;60336010;60223001)资助; 制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.; 关键词：共振腔增强型探测器介质键合 INGAAS 可调谐高频响应

Si基热光可调谐窄带平顶滤波器: 《Journal of Semiconductors》2005年第11期2218-2222,共5页左玉华蔡晓毛容伟王启明; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010);国家自然科学基金(批准号:90401001;60036010)资助项目~~; 利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应,研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器.器件的平顶宽度为2nm,3dB带宽为4·4nm,自由谱宽约为8·5nm,在外加电场作用下,共振峰红移3·3nm.; 关键词：平顶滤波器热光调谐 SI基窄带

带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态被引量：3: 《物理学报》2005年第9期4350-4353,共4页成步文姚飞薛春来张建国李传波毛容伟左玉华罗丽萍王启明; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603);国家自然科学基金(批准号:60336010)资助的课题.~~; 从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于0.85的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结果表明,应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出...; 关键词：SIGE合金应变带隙 SIGE/SI 合金材料间接测定带隙 SI1-XGEX x射线双晶衍射法 SI(100) 应变弛豫

1.55μm MOEMS可调谐光滤波器调谐性能模拟被引量：5: 《光子学报》2005年第4期525-528,共4页左玉华毛容伟王良臣余金中王启明; 国家重点基础研究发展规划(973项目G2000036603);863高技术发展计划( 2002AA312010 );国家自然科学基金(No. 90401001); 建立了等效单层梁模型和一维集总模型,用经典力学理论和传输矩阵方法模拟了多层材料构成且具有四臂固支梁结构的1. 55μmSi基MOEMS(Micro Opto Electro Mechanical Systems)可调谐滤波器的调谐特性; 关键词：MOEMS 可调谐滤波器 FABRY-PEROT 表面微机械

1.3～1.55μm光通信用VCSEL的研究进展被引量：3: 《光子技术》2005年第1期1-5,共5页毛容伟左玉华成步文于金中王启明; 国家重点基础研究发展规划(NO.G2000036603)国家自然科学基金(No.90104003和60336010)国家高技术研究发展计划资助项目(No.2002AA312010); 本文从有源区材料的选择,有源区结构的优化,布拉格反射镜的设计,器件结构的优化等方面对1.3～1.55μm光通讯用VCSEL的研究进展进行综述,并对其应用前景进行展望。; 关键词：VCSEL 光通信布拉格反射镜器件结构光通讯有源优化设计

Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2005年第2期271-275,共5页毛容伟左玉华李传波成步文滕学公罗丽萍张合顺于金中王启明; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603);国家自然科学基金(批准号:90104003,60223001,60376025,60336010);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010)资助项目~~; A novel bonding method using silicate gel as bonding medium is developed.High reflective SiO 2/Si mirrors deposited on silicon substrates by e-beam deposition are bonded to the active layers at a low temperature of ...; 关键词：RCE photodetector high quantum efficiency direct bonding bonding medium INGAAS

微腔调制常温Ge量子点光致发光特性: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期20-23,共4页李传波毛容伟左玉华成步文余金中王启明; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)、国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010)和国家自然科学重大基金(批准号:90104003,60336010)资助项目; 报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集....; 关键词：微腔光致发光 GE量子点调制

B在SiGe中的应变补偿作用被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期39-41,共3页成步文姚飞薛春来张建国李传波毛容伟左玉华罗丽萍王启明; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010),国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)资助项目; 用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的...; 关键词：SIGE 应变补偿掺杂

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