微腔调制常温Ge量子点光致发光特性  

Modulated Photoluminescence of Ge Quantum Dots Grown on SOI Substrate

作　　者：李传波[1] 毛容伟[1] 左玉华[1] 成步文[1] 余金中[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期20-23,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)、国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010)和国家自然科学重大基金(批准号:90104003,60336010)资助项目

摘　　要：报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.

关 键 词：微腔 光致发光 GE量子点 调制 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]