GE量子点

作品数：34被引量：44H指数：5
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相关作者：杨宇杨杰王茺蒋最敏魏榕山更多>>
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相关期刊：《商丘师范学院学报》《红外与激光工程》《电子材料快报》《真空科学与技术学报》更多>>
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化学化工学院在新能源电极材料制备领域取得新进展
《商丘师范学院学报》2022年第3期52-52,共1页
化学能与电能之间的高效转化是众多可再生能源方案的核心环节,其中纳米电催化剂和纳米半导体储能材料则是实现能源转化的关键因素.然而,纳米颗粒具有极高的表面能和极强的团聚趋势,难以维持持久的能源转化稳定性,构建高度分散的超细纳...
关键词：化学化工学院 核心环节 可再生能源 魏伟 能源转化 储能材料 电催化剂 GE量子点 
硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究被引量：1
《人工晶体学报》2020年第11期2178-2193,共16页袁紫媛 潘睿 夏顺吉 魏炼 叶佳佳 李晨 陈延峰 芦红 
国家重点研发项目(2018YFA0306200,2017YFA0303702);国家自然科学基金重点项目(51732006,11890702,51721001)。
硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-xGex(0
关键词：分子束外延 Si1-xGex合金 硅基锗 GE量子点 异质外延 界面调控 
通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性
《材料导报》2018年第6期1004-1009,共6页陈其苗 宋禹忻 张振普 刘娟娟 芦鹏飞 李耀耀 王庶民 龚谦 
国家自然科学基金(61404153);国家自然科学基金重点项目(61334004);国家自然科学基金创新研究组项目(61321492);上海浦江人才计划(14PJ1410600);国家重点基础研究发展规划(973计划)(2014CB643902);中国科学院战略性先导专项(XDA5-1);中国科学院重点项目(KGZD-EW-804);中国科学院高迁移率材料工程国际合作与创新项目;信息功能材料重点实验室开放项目
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖...
关键词：张应变Ge 量子点 有限元 有效质量法 直接带隙 
Si(111)表面上Ge量子点的理论研究
《青岛大学学报（自然科学版）》2017年第2期20-24,共5页刘晓慧 赵丽珍 吕文彩 
国家自然科学基金面上项目(批准号:21273122)资助
采用DFTB+计算方法对在Si(111)表面上三种不同形状的Ge量子点结构(六边形岛状量子点、条形岛状量子点以及光栅形量子点)进行结构优化,并采用CASTEP对结构的能量及光学性质进行计算。对这几类Ge量子点表面纳米结构的光学性质(介电函数、...
关键词：GE量子点 Si(111)表面 光吸收 
Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制被引量：1
《传感技术学报》2015年第5期660-664,共5页汪建元 陈松岩 李成 
国家重大科学研究计划(2012CB933503)
采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge...
关键词：多层Ge量子点 近红外光电探测器 UHV/CVD系统 自组织生长 
埋层应变对溅射生长Ge量子点的影响
《功能材料》2014年第15期15148-15152,共5页周曦 王茺 杨杰 靳映霞 杨宇 
国家自然科学基金资助项目(11274266;10990103)
利用离子束溅射制备双层Ge/Si量子点,通过变化Si隔离层厚度和Ge沉积量研究了埋层应变场对量子点生长的影响。实验中观察到隔离层厚度较薄时,双层结构中第2层量子点形成的临界厚度减小,生长过程提前;此外,随着Ge沉积量的增加,第2层量子...
关键词：埋层应变 量子点生长 离子束溅射 
C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响
《功能材料》2014年第5期5053-5056,共4页刘鹏强 王茺 周曦 杨杰 杨宇 
国家自然科学基金资助项目(11274266)
采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用AFM和Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge量子点的密度逐渐...
关键词：离子束溅射 GE量子点 扩散 C诱导 
原子轰击调制离子束溅射沉积Ge量子点的生长演变
《物理学报》2012年第21期473-483,共11页熊飞 杨杰 张辉 陈刚 杨培志 
国家自然科学基金云南联合基金(批准号:U1037604);云南省应用基础研究基金(批准号:2009CD003);云南省教育厅科学研究基金重点项目(批准号:09C008);云南大学科研基金(批准号:2009E28Q;2010YBV47)资助的课题~~
采用离子束溅射沉积的方法在Si衬底上生长Ge量子点,观察到量子点的生长随Ge原子层沉积厚度θ的增加经历了两个不同的阶段.当θ在6—10.5个单原子层(ML)范围内时,量子点的平均底宽和平均高度随θ增加同时增大,生长得到高宽比较小的圆顶...
关键词：GE量子点 离子束溅射沉积 表面形貌 表面原子行为 
离子束溅射Ge量子点的应变调制生长被引量：6
《物理学报》2012年第1期379-385,共7页杨杰 王茺 靳映霞 李亮 陶东平 杨宇 
国家自然科学基金(批准号:10964016;10990103);云南省社会发展自然基金(批准号:2008CC012);教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207);云南大学校基金(批准号:2010YB030)资助的课题~~
采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点,通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的尺寸和形貌差异,系统研究了掩埋Ge量子点产生的应变对表层量子点的浸润层及形核的影响,并用埋置应变模型...
关键词：GE量子点 埋层应变 离子束溅射 
自组织生长Ge量子点材料研究
《福州大学学报（自然科学版）》2011年第3期395-398,403,共5页魏榕山 何明华 
福建省自然科学基金资助项目(2009J05143);福建省教育厅科研资助项目(JA09007);福州大学科技发展基金资助项目(2009-XQ-31);福州大学人才基金资助项目(XRC-0975)
利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点.通过3因素3水平的正交实验,研究不同的生长参数(衬底温度、GeH4气体流量、生长时间)对Ge量子点生长的影响,从而得到优化的Ge量子点生长参数.透射电镜、X射线双晶衍射测试结果表明,...
关键词：超高真空 化学气相淀积 GE量子点 SI衬底 正交实验 
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