自组织生长Ge量子点材料研究  

Study of self-assembled Ge quantum dots

作　　者：魏榕山[1] 何明华[1] 

机构地区：[1]福州大学物理与信息工程学院,福建福州350108

出　　处：《福州大学学报（自然科学版）》2011年第3期395-398,403,共5页Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition)

基　　金：福建省自然科学基金资助项目(2009J05143);福建省教育厅科研资助项目(JA09007);福州大学科技发展基金资助项目(2009-XQ-31);福州大学人才基金资助项目(XRC-0975)

摘　　要：利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点.通过3因素3水平的正交实验,研究不同的生长参数(衬底温度、GeH4气体流量、生长时间)对Ge量子点生长的影响,从而得到优化的Ge量子点生长参数.透射电镜、X射线双晶衍射测试结果表明,利用优化的生长参数得到的多层Ge量子点材料,具有较好的晶体质量.Ge quantum dots were grown on Si substrate by ultra - high vacuum chemical vapor deposition （UHV/CVD）. To get optimum conditions for growing Ge quantum dots, three factors and three levels orthogonal experiments were designed to study the influence of different conditions （ such as substrate temperature, GeH4 flux and growing time） on Ge quantum dots growth. The results of TEM （transmission electron microscopy） and DCXRD （double crystal X - ray diffraction） measurement showed good quality of multi -layer Ge quantum dots grown with the optimum conditions.

关 键 词：超高真空 化学气相淀积 GE量子点 SI衬底 正交实验 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]