B在SiGe中的应变补偿作用  

Strain Compensation in SiGe by Boron Doping

作　　者：成步文[1] 姚飞[1] 薛春来[1] 张建国[1] 李传波[1] 毛容伟[1] 左玉华[1] 罗丽萍[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期39-41,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010),国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)资助项目

摘　　要：用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.

关 键 词：SIGE 应变补偿 掺杂 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]