检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:黄辉[1] 王兴妍[1] 王琦[1] 黄永清[1] 任晓敏[1] 高俊华[2] 张胜利[2] 刘宇[2] 祝宁华[2] 马骁宇[2] 杨晓红[2] 吴荣汉[2]
机构地区:[1]北京邮电大学光通信中心,北京100876 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083
出 处:《Journal of Semiconductors》2004年第2期170-173,共4页半导体学报(英文版)
基 金:国家高技术研究发展计划 (编号 :2 0 0 2 AA3 12 2 9Z);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 10 3 5 )资助项目~~
摘 要:报道了一种长波长的 In P基谐振腔 (RCE)光电探测器 .采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 .制备的器件在波长 1.5 10 μm处获得了约 5 9%的峰值量子效率 ,以及 8GHz的 3d B响应带宽 ,其中器件的台面面积为 5 0 μm× 5 0 μm.An InP based resonant cavity enhanced (RCE) photodetector is demonstrated.InP/air-gap distributed Bragg reflector (DBR) with high reflectivity is fabricated by using selective wet etching.Moreover,long wavelength RCE photodetectors with InP/air-gap DBR is realized for the first time.The quantum efficiency of 59% at 1.510μm and 3dB bandwidth at 8GHz are achieved with devices active area of 50μm×50μm.
关 键 词:谐振腔增强型光电探测器 长波长 空气隙 选择性湿法刻蚀
分 类 号:TN929.11[电子电信—通信与信息系统]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.222