大功率激光器

作品数:145被引量:248H指数:8
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相关作者:张春杰李力许晓军王圩赵润更多>>
相关机构:中国科学院山东华光光电子股份有限公司中国科学院上海光学精密机械研究所北京工业大学更多>>
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1.55μm脊波导大功率DFB激光器的研究
《湖北工业大学学报》2023年第5期48-51,共4页魏树威 朱尧 周志强 黄楚云 
为了提高1.55μm波段DFB激光器的输出性能及高温特性,制作了两种不同结构的InAlGaAs/InP大光腔激光器。两种激光器芯片均在外延设计上采用非对称结构,能够有效减少器件内吸收损耗,从而提高输出功率。对两种芯片均进行了不同腔长、发散...
关键词:大功率激光器 InAlGaAs 高温特性 脊波导结构 非对称波导 
激光热处理的特点
《金属热处理》2023年第8期153-153,共1页
激光具有高度的单色性、相干性、方向性和亮度,是一种聚焦性好、功率密度高、易于控制、能在大气中远距离传输的热源。激光在传输过程中是高度准直的,能够远距离传输而不显著扩束并能聚焦于一个小的光斑内。激光束的发散角可以小到几个...
关键词:大功率激光器 激光辐射 激光束 激光热处理 表面合金化 表层材料 能量密度 单色性 
后摩尔时代第三代半导体材料与器件:应用与进展
《科学通报》2023年第14期1725-1726,共2页李京波 夏建白 
随着电子信息技术进入后摩尔时代,人们期望探寻一些新材料、新技术以推进半导体科学技术的进一步发展.作为新一代战略电子材料,宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、功率高、载流子迁移率高、饱和电子速度快、耐高温高压等优异特性,吸引了...
关键词:大功率激光器 宽禁带半导体材料 电子信息技术 载流子迁移率 紫外杀菌 第三代 探测领域 持续推进 
激光热处理的特点
《金属热处理》2022年第12期73-73,共1页
激光热处理具有高度的单色性、相干性、方向性和亮度,是一种聚焦性好、功率密度高、易于控制、能在大气中远距离传输的热源。激光在传输过程中是高度准直的,能够远距离传输而不显著扩束并能聚焦于一个小的光斑内。激光束的发散角可以小...
关键词:大功率激光器 远距离传输 激光束 激光热处理 发散角 能量密度 单色性 聚焦性 
515-nm大功率激光器控制系统设计被引量:3
《中国光学(中英文)》2022年第5期1013-1018,共6页董全睿 张振东 王伟国 陈涛 陈飞 
国家重点研发计划(No.2021YFB3601402)。
为了实现激光器稳定且安全地输出,设计了一款基于515-nm的大功率激光器控制系统。首先,对该系统的泵浦驱动模块进行研究,利用现场可编程门阵列(FPGA)完成对模块的模拟采样并在数字信号处理(DSP)中完成计算输出,采用数字PID方式完成恒流...
关键词:光纤激光器 泵浦驱动 激光器控制系统 
镜观潍坊十年以科技创新支撑引领高质量发展
《走向世界》2022年第39期38-41,共4页石莹 孙树宝(图) 
镜头,如同一把时间标尺,刻录着潍坊这个城市10年非凡成就背后的艰辛与辉煌。回望过去十年,社会日新月异、科技高速发展、农业生机勃勃……时间是奋斗的见证者,跟随摄影师的镜头,一场关于“潍坊”的回忆之旅正徐徐展开。百年变局下,科技...
关键词:大功率激光器 光刻胶 时间标尺 关键变量 世界舞台 十年 高质量发展 支撑引领 
基于界面电动势原位探测体块单晶生长界面形状成果登上Acta Materialia期刊
《人工晶体学报》2022年第9期1754-1754,共1页朱允中 
稳定可控的晶体生长界面,对体块单晶的品质和性能有决定性作用。但遗憾的是,大尺寸人工晶体生长技术发展繁衍近百年,生长界面始终是“盲区”,其复杂的热质输运、温度脉动、对流起伏等现象隐匿在高温熔体中,致使生长工艺存在过度的经验...
关键词:大功率激光器 生长界面 单晶生长 组分过冷 晶体材料 界面状态 界面形状 高温熔体 
我国重点产业转型升级路径研究——以光电产业为例被引量:5
《现代工业经济和信息化》2021年第9期1-4,22,共5页雷豪 
阐述了我国光电产业发展的现状,分析了光电产业集群发展中的几个重要关系,研究了重点区域光电产业发展经验,从而提出一些我国光电产业增强核心竞争力的路径,对我国重点产业转型升级有一定的理论参考价值。
关键词:大功率激光器 产业集群 光电产业生态 
薄板焊接大功率激光器安全作业要点
《船海工程》2021年第2期29-32,共4页李宁 俞金龙 赵才才 
针对激光焊接存在光束反射、散射等诸多安全隐患,可能对眼睛或皮肤造成损伤,甚至引发火灾的问题,根据国家激光安全标准,结合激光复合焊培训经验,从设备操作和管理两方面分析激光危害避免方法,提出相关作业要求,现场实践表明,该作业要求...
关键词:激光焊接 激光危害 控制措施 
掺杂对ZnO薄膜光学性能影响的研究现状被引量:1
《电子世界》2021年第5期23-24,共2页张舒婷 王浚宇 
自1990年代以来,出现了以GaN,ZnO和SiC为代表的新一代宽带隙半导体材料。这些材料在紫外光电探测器,大功率器件,短波长发光二极管和大功率激光器中具有优异的性能,具有良好的发展前景。ZnO具有紫外线激发发射的性质,使其很快成为继GaN...
关键词:大功率激光器 发光二极管 大功率器件 半导体材料 紫外光电探测器 ZNO薄膜 GAN 宽带隙 
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