后摩尔时代第三代半导体材料与器件:应用与进展  

The Third generation semiconductor materials and devices in the post Moore era:Applications and progress

作　　者：李京波 夏建白[2] Jingbo Li;Jianbai Xia(College of Optical Science and Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

机构地区：[1]浙江大学光电科学与工程学院,杭州310027 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《科学通报》2023年第14期1725-1726,共2页Chinese Science Bulletin

摘　　要：随着电子信息技术进入后摩尔时代,人们期望探寻一些新材料、新技术以推进半导体科学技术的进一步发展.作为新一代战略电子材料,宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、功率高、载流子迁移率高、饱和电子速度快、耐高温高压等优异特性,吸引了越来越多的关注.宽禁带半导体材料研究持续推进着LED照明产业的不断发展,从Mini-LED到Micro-LED,持续影响半导体照明产业,而且在大功率激光器、紫外杀菌/探测领域发挥着重要的作用.

关 键 词：大功率激光器 宽禁带半导体材料 电子信息技术 载流子迁移率 紫外杀菌 第三代 探测领域 持续推进 

分 类 号：TN30[电子电信—物理电子学]