云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王守武

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GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究: 《Journal of Semiconductors》1998年第11期871-876,共6页牛智川袁之良周增圻徐仲英王守武; 国家自然科学基金; 本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的脊形量子线具有发光各向异性、激子束缚能明显大于侧面量子阱等特点．; 关键词：砷化镓光致发光谱量子线管发光特性

微腔激光器数码调制及其光纤传输的研究被引量：3: 《中国激光》1998年第9期833-836,共4页赵红东林世鸣张存善王守武沈光地; 国家自然科学基金;中国科学院半导体所集成光电子学国家重点实验室开放课题资助; 从微腔半导体激光器速率方程出发，分析讨论了微腔激光器的脉码调制特性，发现微腔具有较规则的脉冲响应，可以减少误码率；自发发射因子为０．１的微腔，具有脉码率高达５０Ｇｂｉｔ／ｓ良好的调制眼图，微腔激光器在光互联中将有广泛...; 关键词：半导体微腔光纤传输接收眼图半导体激光器

GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究被引量：4: 《Journal of Semiconductors》1996年第3期227-230,共4页牛智川周增圻林耀望周帆潘昆张子莹祝亚芹王守武; 本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的...; 关键词：砷化镓脊形量子线结构 MBE生长

GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能: 《Journal of Semiconductors》1996年第2期131-135,共5页夏永伟滕学公李国花樊志军王守武; 本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元...; 关键词：光子平行存储器砷化镓 ALGAAS 存储器性能

薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系被引量：4: 《Journal of Semiconductors》1990年第12期962-965,共4页夏永伟王守武; 本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。; 关键词：薄膜 SOI 反型层厚度薄膜厚度

GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究: 《Journal of Semiconductors》1990年第9期724-726,共3页王守武刘文旭杨朴吴荣汉; 在研究GaAs/GaAlAs半导体激光器淬灭效应过程中,我们发现其中一种结构的淬灭型半导体激光器的输出表现为一对共轭的双稳特性,我们认为这种双稳现象是由共腔双波导模式淬灭效应引起的。; 关键词：半导体激光器淬灭效应双稳现象

GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱被引量：1: 《Journal of Semiconductors》1990年第2期97-103,共7页滕达徐仲英庄蔚华王守武; 国家自然科学基金; 研究了MBE GaAs/AlGaAs多量子阱结构的横向光电流谱和光吸收谱。在光电流谱中观测到多种允许和禁戒的激子吸收峰以及一个阱中受主态至n=1电子态的非本征吸收峰。确定出5个空穴子带至2个电子子带的跃迁以及这些子带的间距。采用简单带方...; 关键词：GAAS/ALGAAS 量子阱光吸收谱

Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟: 《Journal of Semiconductors》1983年第4期321-333,共13页王守武郑一阳郗小林张进昌; 本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时...; 关键词：The TRANSFORMATIONS between stationary and TRANSIT DOMAINS in a GUNN device which has n^+-n-n^+ SANDWICH structure with doping gradient near the anode are investigated.Experimental observation computer simulation carried out.When th

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光: 《Journal of Semiconductors》1981年第3期189-196,共8页王守武王仲明许继宗; 测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为....; 关键词：GaAs-Ga 深能级电子能态双异质结激光器 x)Al_xAs 有源区光学薄膜器件干涉滤光片峰值波长 AL 弱光荧光

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