GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究  

Experimental Investigation on Optical Bistable Phenomena Caused by Laser Quenching Effect in GaAs/GaAlAs Semiconductor Lasers

作　　者：王守武[1] 刘文旭 杨朴 吴荣汉[1] 

机构地区：[1]北京中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第9期724-726,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：在研究GaAs/GaAlAs半导体激光器淬灭效应过程中,我们发现其中一种结构的淬灭型半导体激光器的输出表现为一对共轭的双稳特性,我们认为这种双稳现象是由共腔双波导模式淬灭效应引起的。The output characteristics of one kind of the semiconductor lasers used to study quenching effect show a pair of conjugate bistable Curves. This phenomenon may be caused by a laser quenching effect between the two modes of the co-cavity two waveguides.

关 键 词：半导体激光器 淬灭效应 双稳现象 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]