双异质结激光器

作品数：23被引量：7H指数：1
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半导体激光器的最新进展及应用现状被引量：5
《电子技术与软件工程》2018年第10期90-90,共1页常坤 
半导体激光器俗称激光二极管,因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。其通过对工作物质的激励,从而实现粒子流的反转,并且当粒子数反转的时候,其中大量的电子通过与空穴进行复合,从而产生受激发射作用。
关键词：半导体激光器 受激发射作用 双异质结激光器 
基于Pspice光发射机驱动电路的仿真分析
《数字通信》2013年第6期37-39,56,共4页张玲丽 
根据发光二极管(LED)和双异质结激光器(DH-LD)的Pspice等效子电路程序,将它们做成新的元件嵌入Pspice A/D 8.0电路仿真平台中。利用该平台对各种光发射机的光驱动回路进行模拟,证明用光电子器件的等效电路模型来模拟光电集成回路的可行...
关键词：发光二极管 双异质结激光器 模拟仿真 
双异质结激光器的Pspice温度修正模型被引量：1
《数字通信》2012年第1期77-79,共3页张玲丽 
为了能够正确反映出双异质结激光器的温度特性,对双异质结激光器(DH-LD)原有的Pspice模型进行了温度适用性修正,找出了原模型中被误当作常数但实际却受温度影响的因子,并做出了适当的修正。根据修正后的Pspice等效电路温度模型对双异质...
关键词：双异质结激光器 PSPICE模型 温度控制 功率控制 电路模型 
刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性
《Journal of Semiconductors》1997年第11期836-839,共4页颜学进 张权生 石志文 杜云 祝亚芹 罗丽萍 朱家廉 吴荣汉 王启明 
国家自然科学基金;集成光电子学国家重点实验室资助
本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面的方法．用CH4：H2：Ar2的混合物作干法刻蚀的反应气体，用H2SO4：HCl：H2O2作湿法腐蚀...
关键词：半导体激光器 双异质结 刻蚀腔 
双异质结激光器的Auger复合分析被引量：1
《电子学报》1995年第8期112-115,共4页夏瑞东 常悦 庄蔚华 
本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。
关键词：双异质结激光器 漏泄 发光带 Auger复合 
双异质结半导体激光器（DHL）的研制
《山东工业大学学报》1995年第2期158-161,共4页刘东红 张福厚 高建华 戴瑛 孟繁民 张玉生 
国家教委;山东省科委资助
采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后工...
关键词：双异质结激光器 液相外延生长 半导体激光器 
AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究
《科技通讯（上海）》1994年第3期14-17,共4页莫金玑 倪杰 
关键词：砷化镓 掺杂 铝 异质结构材料 双异质结激光器 
AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究
《上海半导体》1994年第2期1-4,共4页莫金玑 倪杰 
关键词：砷化镓铝 双异质结激光器 生长 MOCVD 特性 
脉冲PbSe/PbSnSeTe双异质结激光器调谐特性的研究
《国外激光》1992年第8期21-23,共3页白光 
二极管激光器应用的急剧增长决定了与高分辨率光谱学方法有关的基础科学和应用科学领域的蓬勃发展。不同类型的二极管激光器在宽广的光波波段(0.7～49μm)工作,实际上所有分子物体的吸收带都在这个波段内。二极管激光器的特征是,苛光谱...
关键词：二极管 激光器 双异质结 调谐 
1.3μm InGaAsP/InP双异质结激光器阈值电流与温度的关系被引量：1
《半导体光电》1990年第2期156-161,共6页陈其道 
测量了1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH 激光器在直流工作条件下,阀值电流密度随温度的变化。应用电子从四元有源区泄漏入 InP 限制层的机理讨论了实验结果。
关键词：激光器 阈值电流 温度 INGAASP/INP 
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