AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究  

作　　者：莫金玑 倪杰 

出　　处：《上海半导体》1994年第2期1-4,共4页

关 键 词：砷化镓铝 双异质结激光器 生长 MOCVD 特性 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]