张福厚

作品数：20被引量：13H指数：2
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供职机构：山东工业大学更多>>
发文主题：半导体激光器超晶格量子阱半导体激光器GAAS/ALGAAS分子束外延更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《中国激光》《山东科学》《光学学报》更多>>
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980nm应变单量子阱的理论设计被引量：6
《中国激光》2000年第8期682-686,共5页李树强 陈江华 于复生 夏伟 张福厚 
研究了应变单量子阱势阱宽度的计算方法 ,为应变单量子阱的设计提供了理论依据 .对于确定的材料组份 ,根据应变理论及有限深势阱的处理方法 ,系统地计算了 980 nm应变单量子阱宽度 。
关键词：应变层 半导体激光器 单量子阱 理论设计 
LD泵浦的声光调Q腔内倍频固体激光器被引量：2
《半导体光电》2000年第4期249-252,共4页于复生 陈江华 李树强 夏伟 张福厚 
应用国产的 80 8nm激光二极管 (LD)研制了声光调Q的Nd :YVO4 -KTP腔内倍频的准连续、单脉冲激光器 ,得到了TEM0 0 模、频率为 2 0kHz的准连续稳定的 532nm的绿光输出 ,阈值泵浦功率为 30 0mW。在连续 2W的泵浦功率下 ,准连续绿光输出为 ...
关键词：声光调Q 腔内倍频 固体激光器 泵浦 
高性能电子设计自动化领域的多线程技术
《山东电子》1998年第4期34-35,共2页陈江华 张福厚 梁村梅 
本文介绍了多线程技术的概念及其基本工作过程。讨论了它在高性能电子设计自动化领域的实际应用、发展潜力及其所带来的良多益处。
关键词：电子设计自动化 EDA 多线程技术 并行操作 
量子阱激光器超晶格缓冲层的研究
《半导体光电》1998年第3期202-204,共3页张福厚 陈江华 李树强 于复生 曾一平 
山东省科委资助
在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。
关键词：量子阱 超晶格 缓冲层 半导体激光器 
分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料
《山东工业大学学报》1997年第3期254-257,共4页张福厚 陈江华 宋珂 
山东省科委资助
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值...
关键词：分子束外延 超晶格半导体 量子阱材料 
具有透明波导的量子阱半导体激光器及其光集成技术
《山东电子》1997年第2期14-14,18,共2页张福厚 宋珂 
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。
关键词：波导 量子阱 半导体激光器 
分子束外延具有GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层的量子阱材料
《科技通报》1997年第6期369-372,共4页宋珂 张福厚 邢建平 曾一平 
山东省科委资助
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ...
关键词：分子束外延 缓冲层 量子阱 超晶格 半导体激光器 
电脑、电视、电话信息查询系统的开发
《山东电子》1997年第1期12-13,共2页郝修田 张福厚 倪惠青 
本文简述了电脑、电视、电话信息查询技术的目前状况,并阐述了在WINDOWS环境下开发此系统的软件、硬件环境和具体实现方法,对该系统的应用领域和发展前景也作了讨论,并详细介绍了软件流程。
关键词：计算机 软件 硬件 信息查询 多媒体技术 
具有超晶格缓冲层的780nm量子阱半导体激光器
《电光系统》1997年第1期5-6,26,共3页宋珂 张福厚 
在衬底面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使闵值电流大幅度降低，提高光功率。
关键词：超晶格 量子阱 半导体激光器 
分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
《光电子．激光》1997年第3期175-177,共3页宋珂 张福厚 邢建平 曾一平 
山东省科委资助
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈...
关键词：分子束外延 量子阱 超晶格 砷化镓 外延生长 
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