具有超晶格缓冲层的780nm量子阱半导体激光器  

作　　者：宋珂[1] 张福厚[1] 

机构地区：[1]山东工业大学

出　　处：《电光系统》1997年第1期5-6,26,共3页Electronic and Electro-optical Systems

摘　　要：在衬底面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使闵值电流大幅度降低，提高光功率。

关 键 词：超晶格 量子阱 半导体激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]