超晶格半导体

作品数：20被引量：13H指数：2
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一种新型力电耦合超晶格半导体结构研究被引量：2
《兵工学报》2007年第2期178-181,共4页张斌珍 李科杰 张文栋 薛晨阳 
国家自然科学基金资助项目(50405025;50375050)
采用分子束外延方法在GaAs衬底(001)上生长了AlAs/GaAs双势垒超晶格薄膜结构,测试出超晶格薄膜在室温下随着外加压力变化下,其I-V特性曲线的漂移与外加压力成一定比例关系。为基于MEMS共振隧穿效应的力电耦合传感器的研究提供了一定的...
关键词：半导体技术 力电耦合 共振隧穿效应 超晶格薄膜 
用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构被引量：2
《半导体技术》2006年第2期105-107,共3页杨艳 薛晨阳 张斌珍 张文栋 
国家自然基金项目(50375050;50405025)
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料...
关键词：分子束外延 超晶格半导体 X射线双晶衍射 
分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料
《山东工业大学学报》1997年第3期254-257,共4页张福厚 陈江华 宋珂 
山东省科委资助
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值...
关键词：分子束外延 超晶格半导体 量子阱材料 
半导体超晶格的电子态与声子模理论
《中国科学基金》1994年第2期133-133,共1页
本项研究是中国科学院半导体研究所黄昆、朱邦芬、夏建白等完成的一项优秀科研成果,荣获第六次(1993)国家自然科学奖二等奖。 从1986年开始,黄昆及合作者开展半导体超晶格的电子态和声子模理论研究,在声子和激子基本理论,以及电子态理...
关键词：半导体 超晶格半导体 电子态 声子膜 
分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格
《红外与毫米波学报》1994年第1期53-58,共6页彭中灵 袁诗鑫 
提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅＭＢＥ生长的影响。
关键词：分子束外延 红外材料 超晶格半导体 
应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究被引量：2
《物理学报》1994年第1期103-109,共7页柯三黄 王仁智 黄美纯 
国家自然科学基金;福建省自然科学基金
对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）＿１（ＧａＡｓ）＿１（００１），（ＩｎＰ）＿ｎ（ＩｎＡｓ）＿ｎ（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ＿ｖ和平均键能Ｅ＿...
关键词：超晶格半导体 应变 价带 电子结构 
不对称的法布里—泊洛GaAs/GaAlAs光反射调制器——工作机理及发展趋势
《华东船舶工业学院学报》1993年第3期22-22,共1页冷静 A.Dimoulas M.Androulidaki 
本文介绍并讨论一种新型的光—电子器件—不对称的法布里—泊洛GaAs/GaAlAs多重量子阱光反射调制器.其工作原理是基于法布里—泊洛空腔的特性及量子阱中的QCSE效应,其工作状态有“常接通”和“常断开”两种模式.此外还介绍了在Si衬底上...
关键词：超晶格半导体 斯塔克效应 限制态 
(CdSe)_l(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱的共振Ramam谱被引量：1
《物理学报》1993年第10期1707-1711,共5页侯永田 何国山 张树霖 彭中灵 李杰 袁诗鑫 
在(CdSe)_1(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱中,根据一维线性链模型计算的结果与实验结果的比较表明,我们在不同的共振条件下分别观察到了来自多量子阱的阱中和垒中ZnSe限制纵光学声子模的Raman散射。与GaAs/AlAs量子阱的偏振选择定...
关键词：超晶格半导体 共振 喇曼效应 
应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性
《物理学报》1993年第9期1510-1514,共5页柯三黄 王仁智 黄美纯 
国家自然科学基金;福建省自然科学基金
采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)_1(InP)_1(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的...
关键词：超晶格半导体 界面 键能 价带 应变 
应变弛豫InGaAs/GaAs超晶格的X射线双晶衍射及形貌研究被引量：1
《物理学报》1993年第9期1485-1490,共6页李建华 麦振洪 崔树范 
应用X射线双晶衍射及双晶形貌术,对应变弛豫的InGaAs/GaAs超晶格作了研究,通过对双晶衍射摇摆曲线的计算机模拟,得到了超晶格的结构,应变弛豫机制,弛豫比,超晶格层与衬底的取向差等重要参数。从双晶形貌,得到了超晶格与衬底界面处和超...
关键词：超晶格半导体 弛豫 应变 X射线衍射 
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