用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构  

Study of InGaAs/GaAs Quantum Wells by X-Ray Double Crystal Diffraction

作　　者：杨艳[1] 薛晨阳[1] 张斌珍[1] 张文栋[1] 

机构地区：[1]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051

出　　处：《半导体技术》2006年第2期105-107,共3页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然基金项目(50375050;50405025)

摘　　要：用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现缘进行了理论分析。High quality InGaAs/GaAs quantum well （QW） structure grown by molecular beam epitaxy （MBE） is characterized by X-ray double crystal diffraction. Interference fringes and splitting peaks in double crystal rocking curves are analyzed. The deep energy levels affecting the characteristics of materials and lasers are also discussed. The experimental results show that the use of X-ray double crystal diffraction is very important in testing the quality of quantum wells and improving the MBE technology.

关 键 词：分子束外延 超晶格半导体 X射线双晶衍射 

分 类 号：O434.1[机械工程—光学工程] O47[理学—光学]